[发明专利]自对准多重图形的形成方法

摘要

一种自对准多重图形的形成方法，包括：待刻蚀层的部分表面具有若干分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间暴露出待刻蚀层表面，第一牺牲层表面具有第二牺牲层；沿第二牺牲层的侧壁表面去除部分第二牺牲层，并暴露出部分第一牺牲层表面；在待刻蚀层、第一牺牲层和第二牺牲层表面形成掩膜薄膜；回刻蚀掩膜薄膜，在第二牺牲层两侧的第一牺牲层表面形成第二掩膜，在第一牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成第一掩膜；在形成第一掩膜和第二掩膜之后，去除第二牺牲层；在去除第二牺牲层之后，以第二掩膜为掩膜，刻蚀第一牺牲层直至暴露出待刻蚀层为止，刻蚀后的第一牺牲层形成第三掩膜。本发明自对准多重图形的形成方法简单，所形成的自对准多重图形精确。

主权项

1.一种自对准多重图形的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层的部分表面具有若干分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间暴露出待刻蚀层表面，所述第一牺牲层表面具有第二牺牲层，所述第二牺牲层的厚度比第一牺牲层的厚度薄；采用等离子体干法刻蚀工艺沿所述第二牺牲层的侧壁表面去除部分厚度，所述等离子体干法刻蚀工艺对于平行于待刻蚀层表面方向的刻蚀速率、大于垂直于待刻蚀层表面方向的刻蚀速率，使所述第二牺牲层的尺寸缩小，并暴露出部分第一牺牲层表面；在所述待刻蚀层、第一牺牲层和第二牺牲层表面形成掩膜薄膜；回刻蚀所述掩膜薄膜，直至暴露出第一牺牲层和第二牺牲层表面为止，在第二牺牲层两侧的第一牺牲层表面形成第二掩膜，在第一牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成第一掩膜；在形成第一掩膜和第二掩膜之后，去除所述第二牺牲层。