[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711459153.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979986B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有鳍部，鳍部具有在半导体衬底表面沿法线方向上层叠的若干层第一鳍部层，相邻两层第一鳍部层中还具有第二鳍部层；形成横跨鳍部的伪栅极结构，伪栅极结构包括伪栅极层；之后在伪栅极层侧壁形成第一侧墙；在第一侧墙两侧的鳍部内形成源漏凹槽；去除部分第二鳍部层，在相邻两层第一鳍部层之间形成第一鳍部凹槽；在第一鳍部凹槽内形成隔离层；之后去除第一侧墙，在源漏凹槽内形成源漏掺杂层；之后在半导体衬底上形成介质层；之后去除伪栅极层和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层，在介质层内及相邻的第一鳍部层之间形成栅开口；在栅开口内形成栅极结构。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部，鳍部具有在半导体衬底表面沿法线方向上层叠的若干层第一鳍部层，相邻两层第一鳍部层中还具有第二鳍部层；形成横跨鳍部的伪栅极结构，伪栅极结构覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，所述伪栅极结构包括伪栅极层；形成伪栅极结构之后，在伪栅极层侧壁形成第一侧墙；在伪栅极结构和第一侧墙两侧的鳍部内形成源漏凹槽；去除源漏凹槽侧壁的部分第二鳍部层，在相邻两层第一鳍部层之间形成第一鳍部凹槽和第二修正鳍部层；在第一鳍部凹槽内形成隔离层，所述隔离层侧壁和第一侧墙侧壁齐平；形成隔离层后，去除第一侧墙；在去除第一侧墙之后，在源漏凹槽内形成源漏掺杂层；形成源漏掺杂层之后，在半导体衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁；形成介质层后，去除伪栅极层和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层，在所述介质层内及相邻的第一鳍部层之间形成栅开口；在所述栅开口内形成栅极结构，所述栅极结构包围第一鳍部层。
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