[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质有效
| 申请号： | 201710775132.5 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107818911B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 桥本良知;松冈树;永户雅也;堀池亮太;小仓慎太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。半导体器件的制造方法包括将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序，所述循环是非同时地进行如下工序：自第一喷嘴对衬底供给原料，并从排气口排气；自配置在比第一喷嘴更远离排气口一侧的第二喷嘴，对衬底供给第一反应体，并从排气口排气；以及自配置在比第二喷嘴更接近排气口一侧的第三喷嘴，对衬底供给第二反应体，并从排气口排气，在供给原料时，通过控制自第二喷嘴供给的非活性气体的流量、自第三喷嘴供给的非活性气体的流量、和自第一喷嘴供给的非活性气体的流量的平衡，从而对在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序，所述循环是非同时地进行如下工序：自第一喷嘴对衬底供给原料，并从排气口排气；自配置在比所述第一喷嘴更远离所述排气口一侧的第二喷嘴，对所述衬底供给第一反应体，并从所述排气口排气；以及自配置在比所述第二喷嘴更接近所述排气口一侧的第三喷嘴，对所述衬底供给第二反应体，并从所述排气口排气，在供给所述原料时，通过控制自所述第二喷嘴供给的非活性气体的流量、自所述第三喷嘴供给的非活性气体的流量、和自所述第一喷嘴供给的非活性气体的流量的平衡，从而对在所述衬底上形成的所述膜的衬底面内膜厚分布进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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