[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的目的是改善半导体器件的性能。形成在分离区域中的p沟道晶体管具有RESURF层，用作电流路径，形成在外延层中，并且是p型半导体层；以及掩埋层，在平面图中与RESURF层重叠，形成在RESURF层之下，夹在半导体衬底和外延层之间，并且是p型半导体层。

主权项

一种半导体器件，包括半导体芯片，所述半导体芯片具有：第一电路区域，其中形成相对于参考电位在第一电位处工作的低压电路；第二电路区域，其中形成相对于所述参考电位在高于所述第一电位的电位处工作的高压电路；和分离区域，其将所述第二电路区域与所述第一电路区域分离，其中，在所述分离区域中形成具有从所述高压电路到所述低压电路的信号传输功能的用于电平移位的第一晶体管，其中在所述第一电路区域、所述第二电路区域和所述分离区域中形成半导体衬底和外延层，所述外延层形成在所述半导体衬底上并且是第一导电类型，以及其中，在所述分离区域中形成的用于电平移位的所述第一晶体管具有RESURF层和掩埋层，所述RESURF层用作电流路径、形成在所述外延层中并且是与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述掩埋层在平面图中与所述RESURF层重叠、形成在所述RESURF层之下、夹在所述半导体衬底和所述外延层之间并且是所述第一导电类型。