[发明专利]用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构及制备方法在审
| 申请号： | 201710551757.3 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107275391A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张峰;温正欣;高怡瑞;李昀佶;申占伟;陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京卓孚知识产权代理事务所(普通合伙)11523 | 代理人： | 李亚,刘光明 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区清河*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构及其制备方法，在不改变终端面积的情况下，提高了对终端离子注入浓度误差的容忍范围；最大程度地避免了注入离子扩散对器件终端的影响，并减小了器件终端面积，提高了器件良品率。该复合终端结构包括第一结终端扩展；第二结终端扩展；场限环；所述第一结终端扩展和所述第二结终端扩展的重合部分形成的第一重合区域；以及所述场限环和所述第二结终端扩展的重合部分形成的第二重合区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 半导体 功率 器件 复合 终端 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于碳化硅半导体功率器件的复合终端结构，其特征在于，包括：第一结终端扩展；第二结终端扩展；场限环；所述第一结终端扩展和所述第二结终端扩展的重合部分形成的第一重合区域；以及所述场限环和所述第二结终端扩展的重合部分形成的第二重合区域。
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