[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体器件及其制造方法，用于实现半导体器件的可靠性的改进。在存储单元区域中，设置多个鳍，它们是半导体衬底的一部分，沿着半导体衬底的主面在x方向上延伸并且沿着半导体衬底的主面在垂直于x方向的y方向上彼此间隔。在y方向上彼此邻近的鳍之间，隔离区域的上表面的一部分所处的位置高于通过将隔离区域的上表面与一个鳍的侧壁接触的位置连接至隔离区域的上表面与另一个鳍的侧壁接触的位置所得到的表面的位置。在沿着y方向的截面中，隔离区域的上表面具有突出形状。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有主面；多个第一突出部分，作为所述半导体衬底的部分，设置在所述半导体衬底的第一区域中，以沿着所述半导体衬底的所述主面在第一方向上延伸，并且沿着所述半导体衬底的所述主面在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔；第一隔离区域，设置在彼此邻近的所述第一突出部分之间；以及第一晶体管和第二晶体管，设置在从所述第一隔离区域的上表面露出的每个所述第一突出部分的上部之中和之上，在所述第一方向上彼此邻近，其中在所述第二方向上彼此邻近的所述第一突出部分之间，所述第一隔离区域的上表面的一部分所处的位置高于通过将所述第一隔离区域的上表面的与一个所述第一突出部分的侧壁接触的位置连接至所述第一隔离区域的上表面的与另一所述第一突出部分的侧壁接触的位置所得到的第一表面。