[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有主面；

多个第一突出部分，作为所述半导体衬底的部分，设置在所述半导体衬底的第一区域中，以沿着所述半导体衬底的所述主面在第一方向上延伸，并且沿着所述半导体衬底的所述主面在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔；

第一隔离区域，设置在彼此邻近的所述第一突出部分之间；以及

第一晶体管和第二晶体管，设置在从所述第一隔离区域的上表面露出的每个所述第一突出部分的上部之中和之上，在所述第一方向上彼此邻近，

其中在所述第二方向上彼此邻近的所述第一突出部分之间，所述第一隔离区域的上表面的一部分所处的位置高于通过将所述第一隔离区域的上表面的与一个所述第一突出部分的侧壁接触的位置连接至所述第一隔离区域的上表面的与另一第一突出部分的侧壁接触的位置所得到的第一表面，

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管被包括在非易失性存储单元中，

其中所述第一晶体管包括：

第一绝缘膜，形成在从所述第一隔离区域的上表面露出的所述第一突出部分的上部的对应上表面和侧壁之上；以及

第一栅电极，经由所述第一绝缘膜在所述第二方向上延伸，其中所述第二晶体管包括：

第二绝缘膜，形成在从所述第一隔离区域的上表面露出的所述第一突出部分的上部的对应上表面和侧壁之上；以及

第二栅电极，经由所述第二绝缘膜在所述第二方向上延伸，并且

其中所述第二绝缘膜包括捕获绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个第二突出部分，作为所述半导体衬底的部分，设置在所述半导体衬底的与所述第一区域不同的第二区域中，以沿着所述半导体衬底的所述主面在第三方向上延伸，并且沿着所述半导体衬底的所述主面在垂直于所述第三方向的第四方向上彼此间隔；

第二隔离区域，设置在彼此邻近的所述第二突出部分之间；以及

第三晶体管，设置在从所述第二隔离区域的上表面露出的每个所述第二突出部分的上部之中和之上，

其中在所述第四方向上彼此邻近的所述第二突出部分之间，所述第二隔离区域的上表面的平坦度低于所述第一隔离区域的上表面的平坦度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个第三突出部分，作为所述半导体衬底的部分，设置在所述半导体衬底的与所述第一区域不同的第二区域中，以沿着所述半导体衬底的所述主面在第五方向上延伸，并且沿着所述半导体衬底的所述主面在垂直于所述第五方向的第六方向上彼此间隔；

第三隔离区域，设置在彼此邻近的所述第三突出部分之间；以及

第四晶体管，设置在从所述第三隔离区域的上表面露出的每个所述第三突出部分的上部之中和之上，

其中在所述第六方向上彼此邻近的所述第三突出部分之间，所述第三隔离区域的上表面的一部分所处的位置高于通过将所述第三隔离区域的上表面的与一个所述第三突出部分的侧壁接触的位置连接至所述第三隔离区域的上表面的与另一所述第三突出部分的侧壁接触的位置所得到的第二表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一栅电极和所述第二栅电极被设置为使得所述第二绝缘膜夹置在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中处于与所述第一突出部分的侧壁相对的位置处的所述第二栅电极的下部的端部位于所述第一隔离区域的上表面的最高位置之上，其中所述第二绝缘膜夹置在所述第二栅电极与所述第一突出部分之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在所述第二方向上彼此邻近的所述第一突出部分之间，所述第一隔离区域的上表面在沿着所述第二方向的截面中具有突出形状。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中当所述第二方向上的所述第一表面的宽度为W且从所述第一表面到所述第一隔离区域的上表面的最高位置的距离为H时，H/W为0.2至0.5。