[发明专利]一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件在审
| 申请号： | 201710301028.2 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN106992207A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张中华;刘根;方自力;韩永乐;王光明;苗笑宇 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件的终端结构，包括基底和设置在基底上表面的复合钝化膜层；所述复合钝化膜层包括复合在所述基底上表面的缓冲层；复合在所述缓冲层表面的半绝缘多晶硅层；复合在所述半绝缘多晶硅层表面的防护层。本发明提出了用于半导体功率器件的复合钝化膜层，通过在半绝缘多晶硅层与基底之间沉积一缓冲层，形成的缓冲层能很高的改善半绝缘多晶硅与衬底硅的界面态，从而降低漏电流；再从整体上进行多个膜层的组合，形成了复合钝化膜层，该复合膜层能够有效的降低漏电，确保器件的耐压能力，提升器件的可靠性，且该钝化膜层具备场板结构的功能，能够降低表面最大电场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的终端结构，其特征在于，包括基底和设置在基底上表面的复合钝化膜层；所述复合钝化膜层包括：复合在所述基底上表面的缓冲层；复合在所述缓冲层表面的半绝缘多晶硅层；复合在所述半绝缘多晶硅层表面的防护层。
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