[发明专利]高击穿电压的氮化镓高电子迁移率晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201710122935.0 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106876443A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李晨;闫发旺;张峰;赵倍吉;刘春雪 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有高击穿电压的氮化镓高电子迁移率晶体管及其形成方法，所述高电子迁移率晶体管包括衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的第一势垒层；位于所述第一势垒层上的栅极、源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述栅极的两侧；位于所述栅极与漏极之间的第一势垒层表面的第二势垒层，所述第二势垒层侧壁与所述栅极一侧侧壁连接，用于产生二维空穴气。上述高电子迁移率晶体管具有更高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 电压 氮化 电子 迁移率 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种高击穿电压的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的第一势垒层；位于所述第一势垒层上的栅极、源极和漏极，所述源极和漏极分别位于所述栅极的两侧；位于所述栅极与漏极之间的第一势垒层表面的第二势垒层，所述第二势垒层侧壁与所述栅极一侧侧壁连接，用于产生二维空穴气。
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