[发明专利]一种新型72对棒还原炉高压击穿系统及其方法在审

专利信息
申请号: 201911127195.5 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN110683547A 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 邹分红;简凤麟;赵小飞;梁国东;梁瑞锋;张龙刚 申请(专利权)人: 新疆东方希望新能源有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 代理人: 管高峰
地址: 831100 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明公开了一种新型72对棒还原炉高压击穿系统及方法,该方法为击穿第1相硅芯时,先击穿8对硅芯,由于击穿后的电压只需最高击穿电压的1/4,因此将这8对硅芯由4面高压击穿柜维持,另外4面高压击穿柜再去击穿第一相剩下的4对硅芯,12对硅芯击穿后再统一交由功率控制柜控制。在前3相硅芯击穿后,整个还原炉温度上升,剩下的后3相硅芯的击穿电压是前3相硅芯的一半以下,因此用一面高压击穿柜同时击穿2对硅芯,6面高压击穿柜同时工作,击穿12对硅芯,击穿完成后交由控制柜控制。本发明缩短了硅芯的高压维持时间,在可以快速击穿的同时,减小了长时间维持高压状态对硅芯的损伤,将高压击穿柜由传统的12面减少为8面,节省了设备投资。
搜索关键词: 硅芯 击穿 高压击穿 击穿电压 还原炉 高压维持 高压状态 功率控制 时间维持 传统的 控制柜 减小 损伤 统一
【主权项】:
1.一种新型72对棒还原炉高压击穿系统,包括硅芯和底盘,所述硅芯共有72对并在底盘上按同心圆布置形成6个分布圆,所述硅芯分为1~6相,每相包括12对硅芯,每相中各硅芯串接并分组设置,其特征在于:/n所述系统还包括8个高压击穿柜和至少1个功率控制柜,所述高压击穿柜串接每相硅芯,能够为硅芯加载电压以进行击穿和维持;所述功率控制柜串接6相硅芯,能够在每相硅芯被击穿后以恒定电流加热该相硅芯;/n所述第1~3相硅芯中每相的12对硅芯设置为两组,第1组包括8对硅芯,第2组包括4对硅芯,所述第1组的8对硅芯由第1~4个高压击穿柜进行击穿并维持,所述第2组的4对硅芯由第5~8个高压击穿柜进行击穿;/n所述第4~6相硅芯中每相的12对硅芯仅设置为一组,并由第1~6个高压击穿柜进行击穿。/n
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