[发明专利]导电化合物上的大晶粒低电阻率钨无效
| 申请号： | 201280011970.0 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103403858A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | S·L·布朗;J·布吕莱;C·小卡布拉尔;S·卡勒伽里;M·M·弗兰克;M·A·古罗恩;M·霍普斯塔肯;V·纳拉亚南;K·黄洸汉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;C23C14/06;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 层叠结构和半导体器件以及制造层叠结构和半导体器件的方法。该层叠结构包括：基底层，其包括含有氮化钛、氮化钽或它们的组合的材料；导电层，其包括含有氮化钽铝、氮化钛铝、氮化钽硅、氮化钛硅、氮化钽铪、氮化钛铪、氮化铪、碳化铪、碳化钽、氮化钒、氮化铌或它们的任何组合的材料；以及钨层。该半导体器件包括：半导体衬底；基底层；导电层；以及钨层。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 化合物 晶粒 电阻率 | ||
【主权项】：
一种层叠结构，包括：基底层，其包括选自氮化钛（TiN）、氮化钽（TaN）及它们的组合的材料；覆盖所述基底层的导电层，其中所述导电层包括选自氮化钽铝（TaAlN）、氮化钛铝（TiAlN）、氮化钽硅（TaSiN）、氮化钛硅（TiSiN）、氮化钽铪（TaHfN）、氮化钛铪（TiHfN）、氮化铪（HfN）、碳化铪（HfC）、碳化钽（TaC）、氮化钒（VN）、氮化铌（NbN）以及它们的任何组合的材料；以及沉积在所述导电层上方的钨层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
