[发明专利]用于半导体器件的结构和方法有效
| 申请号： | 201611089731.3 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107104147B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李宜静;郭紫微;游明华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其形成的方法。半导体器件包括衬底；在所述衬底上方的隔离结构；从衬底延伸并通过隔离结构的两个鳍；与所述两个鳍的沟道区接合的栅极堆叠件；设置于所述隔离结构上方且邻近两个鳍的S/D区的介电层；和在两个鳍的S/D区上方的四个S/D部件。四个S/D部件各自都包含下部和位于下部上方的上部。四个S/D部件的下部至少部分地被介电层环绕。四个S/D部件的上部合并为两个合并式第二S/D部件，在栅极堆叠件的每侧上各具有一个。两个合并式S/D部件各自都有弯曲顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
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