[发明专利]二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管有效
| 申请号： | 201610944884.5 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106298977B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 邓光敏;裴轶 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆;胡彬<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 215123江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管，涉及半导体技术领域，其中，所述二极管阳极结构包括：半导体层；至少两个第一肖特基金属层，位于所述半导体层上，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第一肖特基势垒高度；至少一个第二肖特基金属层，位于所述半导体层上，且位于所述第一肖特基金属层之间，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第二肖特基势垒高度。采用上述技术方案，在阳极区域与半导体形成两种势垒高度，在二极管反向关断时，第一肖特基势垒高度可以降低反向漏电，在二极管正向开启时，第二肖特基势垒高度可以降低正向开启电压，采用上述二极管阳极结构，可以保证提高二极管使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 阳极 结构 纵向 以及 横向 | ||
【主权项】：
1.一种二极管阳极结构，其特征在于，包括：/n半导体层；/n至少两个第一肖特基金属层，位于所述半导体层上，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第一肖特基势垒高度；/n至少一个第二肖特基金属层，位于所述半导体层上，且位于所述第一肖特基金属层之间，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第二肖特基势垒高度；/n所述第一肖特基势垒高度大于所述第二肖特基势垒高度；/n所述半导体层上形成有与所述第一肖特基金属层对应的凹槽结构，所述第一肖特基金属层的底部位于所述凹槽结构中。/n
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- 本公开提出一种肖特基二极管管芯及其制备方法、二极管和光伏组件，涉及光伏发电技术领域。管芯包括单晶硅衬底、肖特基势垒结、控制PN结、保护PN结、隔离介质、管芯正电极接触金属和管芯负电极接触金属，在第一侧面设置有多个腐蚀坑，控制PN结设置在腐蚀坑坑壁上，管芯正电极接触金属和管芯负电极接触金属均由第一侧面引出。本公开能够更好地消减高频脉冲电流和浪涌电流，管芯应力小，便于集成封装。
- 用于整流电路的肖特基二极管及整流电路-201822228978.X
- 刘奕晨;李薇 - 西安科锐盛创新科技有限公司
- 2018-12-28 - 2019-11-22 - H01L29/872
- 本实用新型涉及一种用于整流电路的肖特基二极管及整流电路，用于整流电路的肖特基二极管包括：衬底层、压应力Ge层、氮化硅层、第一金属电极、第二金属电极，其中，所述压应力Ge层、所述氮化硅层依次层叠设置于所述衬底层的第一表面，所述氮化硅层设置有电极孔，所述第一金属电极设置于所述压应力Ge层上且设置于所述电极孔中，所述第二金属电极设置于所述衬底层与所述第一表面相对设置的第二表面。本实用新型实施例的肖特基二极管的结构简单。
- 二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管-201610944884.5
- 邓光敏;裴轶 - 苏州捷芯威半导体有限公司
- 2016-10-26 - 2019-11-15 - H01L29/872
- 本发明实施例公开了一种二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管，涉及半导体技术领域，其中，所述二极管阳极结构包括：半导体层；至少两个第一肖特基金属层，位于所述半导体层上，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第一肖特基势垒高度；至少一个第二肖特基金属层，位于所述半导体层上，且位于所述第一肖特基金属层之间，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第二肖特基势垒高度。采用上述技术方案，在阳极区域与半导体形成两种势垒高度，在二极管反向关断时，第一肖特基势垒高度可以降低反向漏电，在二极管正向开启时，第二肖特基势垒高度可以降低正向开启电压，采用上述二极管阳极结构，可以保证提高二极管使用效率。
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