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[实用新型]沟槽型MOSFET晶体管-CN202320007254.0有效
发明人：付红霞;章剑锋;崔京京 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管，涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括：第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构；栅极沟槽结构，包括：设置在远离第一表面一侧的栅极；设置在栅极与栅极沟槽结构的底部之间的多个相互绝缘的第一场板，在平行于第一表面的方向上，各个第一场板具有相同的长度；栅极与第一场板之间绝缘；在垂直于第一表面的方向上，相邻两个第一场板之间的距离由各个第一场板的厚度确定。根据本申请能够保证沟槽型MOSFET晶体管内电场分布均匀，且简化制造工艺。
沟槽 mosfet 晶体管

[发明专利]用于半导体的环氧封装组合物及其制备方法和半导体器件封装层-CN202310429508.2在审
发明人：题杨;乐聪;黄华兴 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C09J163/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于半导体的环氧封装组合物及其制备方法和半导体器件封装层，环氧封装组合物以质量百分数计包括如下组分：环氧树脂，5％‑20％；固化剂，1％‑8％；催化剂，0.01％‑0.9％；填料，70％‑90％；二氧化钛，0.5％‑2.5％；阻燃剂，5％‑15％；其他助剂，1％‑8％。本申请的环氧封装组合物中各组分共同作用，使环氧封装组合物制备成半导体器件的封装涂层后，具有特定的白度，具有更优异的绝缘性能和紫外线反射率。
用于半导体封装组合及其制备方法半导体器件

[发明专利]沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法-CN202211103487.7在审
发明人：付红霞;章剑锋;崔京京 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括：第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构；栅极沟槽结构，包括：设置在远离第一表面一侧的栅极；设置在靠近阱区一侧的至少两个介质层，相邻两个介质层的接触面平行于第一表面方向；在垂直于第一表面，且从栅极至栅极沟槽结构的底部的方向上，介质层的正电荷密度依次递增；第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。根据本申请能够保证沟槽型MOSFET晶体管内电场分布均匀，且简化制造工艺。
沟槽 mosfet 晶体管及其制造方法

[实用新型]二极管器件-CN202223016448.1有效
发明人：赵良;陈松 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请提供了一种二极管器件。二极管器件包括底板、引线框架和芯片组件，底板具有第一表面，底板上设置有凸台，凸台沿背离第一表面的方向延伸设置。引线框架连接于底板的一端。芯片组件包括第一芯片和第二芯片，第一芯片的阴极端面与第一表面连接，第一芯片的阳极端面与引线框架连接，第二芯片的阳极端面与凸台连接，第二芯片的阴极端面与引线框架连接，其中，凸台靠近第二芯片的一侧表面的面积与第二芯片的阳极端面的面积相匹配。根据本申请实施例能够有效提高二极管器件中的串联芯片的稳定性。
二极管器件

[发明专利]半导体器件-CN202211665967.2在审
发明人：龚锦秀;乐聪;陆爱华 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件，半导体器件包括封装体和多个引脚。多个引脚与封装体连接，多个引脚相互间隔设置，引脚远离封装体的端部开设有凹槽，引脚用于通过焊料与电路板连接，凹槽用于收容部分焊料。将半导体器件焊接在电路板的过程中经过加热回流，容纳在凹槽中的焊料连接引脚和电路板，提高引脚与电路板连接的可靠性。
半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201910666400.9有效
发明人：埃迪·黄;尼古拉斯·A·M·科佩尔;马特加兹·罗兹曼;斯蒂芬·D·伍德;章剑峰 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件，包括：具有单极传导结构和双极传导结构的半导体衬底、第一端子和第二端子。单极传导结构包括第一传导类型的第一区、第二区和第三区，其中，第二区的掺杂浓度低于第一区和第三区的掺杂浓度。双极传导结构包括形成在与第一传导类型相反的第二传导类型的第四区和第二区之间的P‑N结、第一端子和第二端子。单极传导结构可操作以提供第一传导路径。双极传导结构可操作以提供第二传导路径。第一传导路径在功率半导体器件的导通状态期间，以第一频率接通和断开，并且第二传导路径在第一传导路径的断开阶段期间，以高传导率模式操作，和在第一传导路径的导通阶段期间，以低传导率模式操作。
功率半导体器件

[发明专利]二极管封装结构及其制造方法-CN202111163771.9在审
发明人：赵良;陈松;胡爱斌 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请公开了一种二极管封装结构及其制造方法，二极管封装结构包括：连接底板，包括导电本体、第一连接柱以及第二连接柱，导电本体具有第一表面，第一连接柱以及第二连接柱与第一表面连接；引线框架，连接于导电本体的一端；芯片组件包括第一芯片、第二芯片，第一芯片的阳极端与第一连接柱连接，第一芯片的阴极端与引线框架连接，第二芯片的阳极端与第二连接柱连接，第二芯片的阴极端与引线框架连接；封装结构，在第一表面一侧覆盖第一连接柱、第二连接柱以及芯片组件设置。根据本申请实施例的二极管封装结构，为芯片组件的安装提供更大空间，实现更大尺寸芯片组件的应用，将导电本体的一侧露出提高散热效果。
二极管封装结构及其制造方法

[实用新型]沟槽型MOSFET晶体管-CN202222409644.9有效
发明人：付红霞;章剑锋;崔京京 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型MOSFET晶体管，涉及半导体器件技术领域。该沟槽型MOSFET晶体管包括：第一掺杂类型的衬底，衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构；栅极沟槽结构，包括：设置在远离第一表面一侧的栅极；设置在靠近阱区一侧的至少两个介质层，相邻两个介质层的接触面平行于第一表面方向；在垂直于第一表面，且从栅极至栅极沟槽结构的底部的方向上，介质层的正电荷密度依次递增；第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。根据本申请能够保证沟槽型MOSFET晶体管内电场分布均匀，且简化制造工艺。
沟槽 mosfet 晶体管

[实用新型]焊接结构及功率器件-CN202223095849.0有效
发明人：乐聪;陈松;黄华兴 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种焊接结构及功率器件。焊接结构用于功率器件，焊接结构包括底板和电路基板，底板包括焊接区，焊接区设置有多个支撑件，支撑件沿第一方向凸出于底板的表面，至少部分支撑件沿焊接区的周侧排布设置；电路基板设置于底板具有支撑件的一侧并与支撑件抵接，电路基板焊接于焊接区以形成焊接层，沿第一方向上，焊接层具有尺寸h1，支撑件具有尺寸h2，h1≥h2。根据本申请实施例能够提高底板和电路基板之间焊接层的均匀性和可靠性，进而能够减少功率器件因结温过高及热循环疲劳而导致功能失效的现象出现。
焊接结构功率器件

[实用新型]二极管器件-CN202222896635.7有效
发明人：赵良;陈松 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请提供了一种二极管器件。二极管器件包括框架、芯片组和连接件，芯片组包括层叠设置的至少两个芯片，芯片组沿层叠方向的一侧连接于框架，芯片包括沿层叠方向上相背的第一端面和第二端面，第一端面和第二端面的极性相反且面积大小不同。连接件连接于芯片组中的每两个芯片之间，连接件包括沿层叠方向上相背的第一表面和第二表面，第一表面与两个芯片中的一个芯片的第一端面相连接，第二表面与两个芯片中的另一个芯片的第二端面相连接，第一表面的面积与第一端面的面积相匹配，第二表面的面积与第二端面的面积相匹配。根据本申请实施例能够有效提高二极管器件中的串联芯片的连接牢固度和减小串联芯片的电阻。
二极管器件

[发明专利]焊接结构及功率器件-CN202211463617.8在审
发明人：乐聪;陈松;黄华兴 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种焊接结构及功率器件。焊接结构用于功率器件，焊接结构包括底板和电路基板，底板包括焊接区，焊接区设置有多个支撑件，支撑件沿第一方向凸出于底板的表面，至少部分支撑件沿焊接区的周侧排布设置；电路基板设置于底板具有支撑件的一侧并与支撑件抵接，电路基板焊接于焊接区以形成焊接层，沿第一方向上，焊接层具有尺寸h1，支撑件具有尺寸h2，h1≥h2。根据本申请实施例能够提高底板和电路基板之间焊接层的均匀性和可靠性，进而能够减少功率器件因结温过高及热循环疲劳而导致功能失效的现象出现。
焊接结构功率器件

[实用新型]引线框架和半导体封装结构-CN202221729475.0有效
发明人：乔祝云;章剑锋 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请公开了一种引线框架和半导体封装结构。引线框架包括引线框架主体，引线框架主体包括设置有芯片焊盘的第一表面，芯片焊盘包括第一区和第二区；第一区用于放置芯片；第二区上设置有能够在引线框架主体产生应力的情况下，增加芯片焊盘与封装引线框架主体的塑封体之间的粘结力的杠杆结构。半导体封装结构包括引线框架、位于芯片焊盘上的芯片和用于封装所述芯片的塑封结构。根据本申请实施例，杠杆结构能够在引线框架主体产生应力的情况下，增加芯片焊盘与封装引线框架主体的塑封体之间的粘结力，避免引线框架与塑封结构之间产生分层，提高引线框架与塑封结构之间的锁紧效果。
引线框架半导体封装结构

[发明专利]二极管器件及其制造方法-CN202211355939.0在审
发明人：赵良;陈松 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请提供了一种二极管器件及其制造方法。二极管器件包括框架、芯片组和连接件，芯片组包括层叠设置的至少两个芯片，芯片组沿层叠方向的一侧连接于框架，芯片包括沿层叠方向上相背的第一端面和第二端面，第一端面和第二端面的极性相反且面积大小不同。连接件连接于芯片组中的每两个芯片之间，连接件包括沿层叠方向上相背的第一表面和第二表面，第一表面与两个芯片中的一个芯片的第一端面相连接，第二表面与两个芯片中的另一个芯片的第二端面相连接，第一表面的面积与第一端面的面积相匹配，第二表面的面积与第二端面的面积相匹配。根据本申请实施例能够有效提高二极管器件中的串联芯片的连接牢固度和减小串联芯片的电阻。
二极管器件及其制造方法

[实用新型]半导体器件-CN202222475327.7有效
发明人：徐维;章剑锋 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件，包括：封装体和多个引脚。多个引脚，多个引脚围绕封装体并与封装体连接，多个引脚相互间隔设置，引脚具有至少一个凹槽，凹槽设置于引脚远离封装体的一端，引脚用于通过焊料与电路板连接，凹槽用于收容部分焊料。将半导体器件焊接在电路板的过程中经过加热回流，容纳在凹槽中的焊料连接引脚和电路板，提高引脚与电路板连接的可靠性。
半导体器件

[实用新型]沟槽型碳化硅晶体管-CN202222309961.3有效
发明人：林苡任;崔京京;章剑锋 -专利权人： 瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型碳化硅晶体管，涉及半导体器件技术领域。沟槽型碳化硅晶体管包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底，碳化硅衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区；设置在阱区内的栅极沟槽结构，栅极沟槽结构包括覆盖于栅极沟槽结构的表面的栅极氧化层，以及位于栅极沟槽结构的底部的栅极氧化层之上的栅极和PN结结构；设置在栅极沟槽结构的一侧，且与栅极沟槽结构接触的第一掺杂类型的第一掺杂区；设置在栅极沟槽结构的另一侧，且与栅极沟槽结构间隔的第二掺杂类型的第二掺杂区。根据本申请实施例，能够实现碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管自身的温度检测。
沟槽碳化硅晶体管

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