[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610848720.2 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106972048B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李相烨;宋珉宇;李钟汉;丁炯硕;洪慧理 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造半导体器件的方法可以包括：分别在基板的有源区中和测量区中形成第一鳍图案和第二鳍图案，测量区不同于有源区；形成分别交叉第一鳍图案和第二鳍图案的第一栅电极和第二栅电极；以及测量第二栅电极的接触电位差(Vcpd)以根据测量的接触电位差(Vcpd)确定第一栅电极的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，该方法包括：分别在基板的有源区中和测量区中形成第一鳍图案和第二鳍图案，所述测量区不同于所述有源区；形成分别交叉所述第一鳍图案和所述第二鳍图案的第一栅电极和第二栅电极；以及测量所述第二栅电极的接触电位差(Vcpd)以根据测量的接触电位差(Vcpd)确定所述第一栅电极的阈值电压。
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