[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610753384.3 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107785420B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：FinFET器件，所述FinFET器件包括：基底，凸出于所述基底上的鳍部，位于所述基底上且横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁，分别位于所述栅极结构相对两侧的鳍部内的源极和漏极；位于所述FinFET器件正上方的Fuse器件，所述Fuse器件具有阳极端以及阴极端，其中，所述阴极端与所述FinFET器件的源极电连接，所述阳极端与外接衬垫电连接；介质层，所述介质层位于所述FinFET器件以及Fuse器件之间。本发明缩短半导体器件的编程时间，提高编程效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：FinFET器件，所述FinFET器件包括：基底，凸出于所述基底上的鳍部，位于所述基底上且横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁，以及分别位于所述栅极结构相对两侧鳍部内的源极和漏极；位于所述FinFET器件正上方的Fuse器件，所述Fuse器件具有阳极端以及阴极端，其中，所述阴极端与所述FinFET器件的源极电连接，所述阳极端与外接衬垫电连接；介质层，所述介质层位于所述FinFET器件以及Fuse器件之间。
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