[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610729466.4 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106684140B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡明玮;黄敬源;熊志文;林明正 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的一些实施例提供了半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底。供给层位于半导体衬底上方。该供给层包括顶面。栅极结构、漏极和源极位于供给层上方。钝化层共形地覆盖在栅极结构和供给层上方。栅电极位于栅极结构上方。场板设置在栅电极和漏极之间的钝化层上。该场板包括底边。该栅电极具有接近于场板的第一边缘，该场板包括面向第一边缘的第二边缘，第一边缘和第二边缘之间的水平距离在从约0.05至约0.5微米的范围内。本发明的实施例还提供了半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；供给层，位于所述半导体衬底上方，所述供给层包括顶面；栅极结构、漏极和源极，位于所述供给层上方；钝化层，位于所述栅极结构和所述供给层上方；栅电极，位于所述栅极结构上方；场板，设置在所述栅电极和所述漏极之间的所述钝化层上，所述场板包括底边；以及其中，所述栅电极具有接近于所述场板的第一边缘，所述场板包括面向所述第一边缘的第二边缘，所述第一边缘和所述第二边缘之间的水平距离在从0.05微米至0.5微米的范围内。
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