[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610720027.7 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107785373B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 常荣耀;宋洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：用于在半导体衬底中形成隔离结构，其包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成所述隔离结构的硬掩膜层；以所述隔离结构的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底以形成用于形成隔离结构的沟槽，且所述沟槽通过设定次数的刻蚀步骤达到目标深度，其中，在每一所述刻蚀步骤中包括下述操作：以所述隔离结构的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底设定深度；在所述刻蚀完成之后执行副产阻塞物操作。该制作方法可以减少的局部深度差异和线坍塌问题。该半导体器件和电子装置由于上述制作方法具有减少的局部深度差异和线坍塌问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，用于在半导体衬底中形成隔离结构，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成所述隔离结构的硬掩膜层；以所述隔离结构的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底以形成用于形成隔离结构的沟槽，且所述沟槽通过设定次数的刻蚀步骤达到目标深度，其中，在每一所述刻蚀步骤中包括下述操作：以所述隔离结构的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底设定深度；在所述刻蚀完成之后执行副产阻塞物操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
