[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610618644.6 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106340535A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 赵树峰;邓光敏;裴轶 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层的背离衬底的一侧上的电流阻挡层；位于电流阻挡层的背离缓冲层的一侧上的沟道层，沟道层的背离电流阻挡层的一侧上设置有指定源极区域和指定栅极区域；位于指定源极区域的源电极；位于指定栅极区域且底部延伸至电流阻挡层的面向沟道层的表面上的栅槽，以及位于栅槽上的栅电极；位于衬底的背离缓冲层的一侧上的漏电极；位于缓冲层的对应源电极的内部区域且与源电极同电位的至少一个阱区。本发明中，阱区与其周围的缓冲层形成了若干个PN结，进一步扩展了缓冲层内的耗尽区宽度，进而有效降低了该器件的漏电流，提高了该器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层的背离所述衬底的一侧上的电流阻挡层；位于所述电流阻挡层的背离所述缓冲层的一侧上的沟道层，所述沟道层的背离所述电流阻挡层的一侧上设置有指定源极区域和指定栅极区域；位于所述指定源极区域的源电极；位于所述指定栅极区域且底部延伸至所述电流阻挡层的面向所述沟道层的表面上的栅槽，以及位于所述栅槽上的栅电极；位于所述衬底的背离所述缓冲层的一侧上的漏电极；位于所述缓冲层的对应所述源电极的内部区域且与所述源电极同电位的至少一个阱区。
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