[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610585175.2 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107644907B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 周儒领;张庆勇;张超;邓琪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底上形成有至少一栅极，所述栅极的侧壁形成有栅极侧墙；以及多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述衬底以及所述栅极侧墙的部分侧壁，所述栅极侧墙的侧壁旁的所述多晶硅层的高度低于所述栅极侧墙的高度；其中，至少所述多晶硅层的表面被金属化。本发明还提供一种半导体器件的制备方法。本发明提供的半导体器件及其制备方法中，由于所述栅极侧墙的侧壁旁的所述多晶硅层的高度低于所述栅极侧墙的高度，可以减小栅极、多晶硅层以及位于栅极和多晶硅层之间的栅极侧墙的寄生电容，并且可以降低位于源级或漏极上的多晶硅层的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有至少一栅极，所述栅极的侧壁形成有栅极侧墙；以及多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述衬底以及所述栅极侧墙的部分侧壁，所述栅极侧墙的侧壁旁的所述多晶硅层的高度低于所述栅极侧墙的高度；其中，至少所述多晶硅层的表面被金属化。
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