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- [发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202310473987.8有效
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宋富冉;黄厚恒;周儒领
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2023-04-28
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2023-09-12
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H01L21/768
- 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；在衬底表面上形成栅极结构和侧墙结构，侧墙结构位于栅极结构两侧；在衬底、侧墙结构以及栅极结构的表面上形成接触孔刻蚀停止层或者第一层间介质层；刻蚀栅极结构一侧的部分第一层间介质层，或者刻蚀栅极结构一侧的部分接触孔刻蚀停止层，以形成第一接触孔，第一接触孔的边缘与侧墙结构上的接触孔刻蚀停止层紧邻设置，或者第一接触孔的边缘与侧墙结构上的第一层间介质层紧邻设置；刻蚀栅极结构顶部的部分第一层间介质层，或者刻蚀栅极结构顶部的部分接触孔刻蚀停止层，以形成第二接触孔，第二接触孔和第一接触孔在远离衬底的顶部一侧连通。本发明可提高半导体结构的产品性能。
- 一种半导体结构及其制备方法
- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202211314839.3有效
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宋富冉;周儒领;韩飘飘;伯秀秀;晋华东
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2022-10-26
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2023-04-07
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H01L29/423
- 本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，半导体器件包括衬底、第一栅极结构、第二栅极结构、层间介质层和共享插塞；在第一方向上第一栅极结构的一端超出第一初始位置并延伸至第一位置，以通过延长第一栅极结构的长度来确保第一栅极结构的端盖形貌符合设定标准，提高器件性能。以及，共享插塞的第一延伸端与第二栅极结构相接，第二延伸端与位于第二栅极结构的一侧的衬底相接；第一延伸端和第二延伸端之间间隔有层间介质层，用于保护第二栅极结构，避免其被侵蚀而导致的漏电流问题。在制备方法中，通过特定的改进图案化光刻胶层，仅采用一步刻蚀工艺即实现制备共享接触孔，无需多次反复显影以及填充刻蚀，工艺制备简单，有助于提高制备效率。
- 半导体器件及其制备方法
- [发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202210844475.3有效
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宋富冉;周儒领;黄厚恒;伯秀秀
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2022-07-19
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2023-01-31
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H01L21/8238
- 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体器件制作领域。所述制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内设置多个阱区；在所述阱区上形成栅极结构；在所述衬底和所述栅极结构上形成第一介质层；对所述第一介质层进行氮化处理，形成中间层；以所述中间层为杂质离子的注入缓冲层，在所述栅极结构两侧的所述阱区内形成轻掺杂区；在所述中间层上形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层至所述中间层或刻蚀所述第二介质层至所述第一介质层，形成侧墙结构；以所述中间层或所述第一介质层为杂质离子的注入缓冲层，在所述侧墙结构两侧的所述阱区内形成重掺杂区。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，可提高半导体器件的性能。
- 一种半导体器件制作方法
- [发明专利]半导体器件的制备方法-CN202211067774.7有效
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宋富冉;黄厚恒;周儒领
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2022-09-02
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2022-12-02
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H01L21/768
- 本发明提供一种半导体器件的制备方法。其中，所述方法在衬底表面和晶体管表面形成第一阻挡层，不仅起到保护作用，还起到研磨阻挡的作用，保证膜层的均匀性。在形成接触孔的过程中，本发明先形成小于预设尺寸的第一接触孔，再通过清洗第一接触孔，侧向刻蚀层间介质层，以增大径向尺寸至预设尺寸。且通过同步刻蚀第一阻挡层和第二阻挡层，使位于第二阻挡层中的部分第一接触孔的孔径增大；以及去除第一接触孔底部的第一阻挡层，从而形成符合设定尺寸的第二接触孔。且在形成第二接触孔后采用氨过氧化氢混合溶液清洗第二接触孔，不会对第二接触孔的尺寸造成影响，也不会使得第二接触孔与晶体管接触位置处发生寄生反应，避免出现接触不良和漏电流问题。
- 半导体器件制备方法
- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202210844775.1有效
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金磊;周儒领;宋富冉
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2022-07-19
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2022-11-18
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H01L21/8234
- 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有若干栅极结构，栅极结构的两侧形成有侧壁保护层，侧壁保护层包括氧化层和氮化层，氧化层覆盖栅极结构的两侧及衬底的部分表面，氮化层位于氧化层上且覆盖氧化层的侧面与顶面；形成金属层覆盖栅极结构、氮化层及衬底的表面，且显露出氮化层和衬底之间的氧化层的部分侧面，位于衬底表面上的金属层与氧化层接触；刻蚀去除部分氧化层，以在氮化层和衬底之间形成空隙，空隙显露出衬底以隔离氧化层和金属层；形成阻挡层覆盖金属层且填充至少部分空隙；执行热退火工艺以在栅极结构的两侧的衬底中形成金属硅化物；本发明改善了金属硅化物的侧钻现象。
- 半导体器件及其制备方法
- [发明专利]互连结构及其制备方法-CN202210229023.4有效
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宋富冉;黄厚恒;周儒领
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合肥晶合集成电路股份有限公司
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2022-03-10
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2022-06-21
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H01L21/768
- 本发明涉及一种互连结构及其制备方法。互连结构的制备方法包括：提供衬底，衬底表面形成有器件结构；于衬底上形成叠层结构，叠层结构包括从上到下依次叠置的第一停止层、第一介质层、第二停止层和第二介质层，其中，第二介质层包覆器件结构；提供光罩，形成具有第一特征尺寸的第一互连孔，第一互连孔贯穿第一停止层和第一介质层，暴露出第二停止层；基于同一光罩，形成具有第二特征尺寸的第二互连孔，第二互连孔贯穿第二停止层和第二介质层，暴露出衬底和/或器件结构；其中，第二特征尺寸小于第一特征尺寸；形成互连结构，互连结构无缝隙填满第一互连孔和第二互连孔。上述方法可以防止发生互连结构桥接问题，并避免在互连结构内部形成缝隙。
- 互连结构及其制备方法
- [发明专利]沟槽隔离结构的制备方法-CN202110252703.3有效
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宋富冉;周儒领;许宗能
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晶芯成（北京）科技有限公司
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2021-03-09
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2021-09-17
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H01L21/762
- 本发明提供一种沟槽隔离结构的制备方法，其中所形成的第一氮化层，不仅能作为沟槽隔离结构的一部分起到辅助隔离的效果，还在去除第一氧化层时作为刻蚀阻挡层，避免衬底被刻蚀，保护沟槽的形貌。且为避免HARP对第二区域中后续形成的PMOS的迁移率造成影响，在形成第一氧化层后，去除第二沟槽中的至少部分第一氧化层，并采用HDPCVD进行二次填充，以形成第二氧化层。不仅保证后续形成PMOS的性能，还通过这一步骤，去除第一氧化层中可能存在的孔隙等填充缺陷。同时，因去除第一氧化层使第二沟槽的深度较浅，则有利于形成致密的所述第二氧化层，避免二次填充缺陷。故本发明不但同时保障了后续形成NMOS和PMOS的迁移率，极大地提高了器件性能，且制备成本低，工艺简单。
- 沟槽隔离结构制备方法
- [发明专利]静态随机存储器的制备方法-CN202110252700.X有效
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周儒领;金起準;詹奕鹏
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晶芯成（北京）科技有限公司
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2021-03-09
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2021-05-28
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H01L21/8244
- 本发明提供一种静态随机存储器的制备方法，所述方法在执行N型离子注入之前对部分多晶硅层执行预非晶化离子注入，能防止在N型离子注入过程中因多晶硅层中的晶粒尺寸过大，而导致注入的离子纵向扩散，穿过栅氧化层进入所述P阱区中，从而引起后续形成的下拉NMOS晶体管阈值电压降低，造成电压失配。同时，提高了N型离子注入对多晶耗尽效应的抑制效果。此外，因后续形成的上拉PMOS晶体管和下拉NMOS晶体管共用同一栅极结构，故执行所述预非晶化离子注入还能够抑制N型离子注入中离子的横向扩散，避免N型离子注入对后续形成的上拉PMOS晶体管的阈值电压造成影响，以缓解电压失配的问题，提高器件性能。且两次离子注入使用同一掩膜，制备成本低，工艺简单。
- 静态随机存储器制备方法
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