[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201610270930.8 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106098744A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | F·希尔勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法，具体地，半导体器件包括具有位于大于半导体器件的击穿电压的5％的电压处的至少一个输出电容最大值的输出电容特性。输出电容最大值大于位于输出电容最大值的电压与半导体器件的击穿电压的5％之间的电压处的输出电容最小值处的输出电容的1.2倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(100)，包括具有至少一个输出电容最大值的输出电容特性，所述至少一个输出电容最大值位于大于所述半导体器件的击穿电压的5％的电压处，其中所述输出电容最大值大于位于所述输出电容最大值的电压与所述半导体器件的击穿电压的5％之间的电压处的输出电容最小值处的输出电容的1.2倍。
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