[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610196008.9 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106024879B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 中山达峰;宫本广信 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。改进了半导体器件的特性。所述半导体器件包括衬底上的电压箝位层、沟道基底层、沟道层和势垒层。沟槽穿通势垒层延伸达沟道层的一定深度。栅电极设置在沟槽内的栅绝缘膜上。源电极和漏电极设置在栅电极的相应两侧上。延伸到电压箝位层的穿通孔内的联接部将电压箝位层电联接到源电极。包含受主能级比p型杂质的受主能级深的杂质的杂质区设置在穿通孔下方。电压箝位层减小诸如阈值电压和导通电阻的特性的变化。通过由于杂质区中的杂质导致的跳动导电来减小接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；第一氮化物半导体层，其被设置在所述衬底上方；第二氮化物半导体层，其被设置在所述第一氮化物半导体层上方；栅电极，其被设置在所述第二氮化物半导体层上方；第一电极和第二电极，其被设置在所述栅电极的相应两侧上的所述第二氮化物半导体层上方；联接部，其将所述第一电极与所述第一氮化物半导体层联接；以及杂质区，其被设置在所述联接部和所述第一氮化物半导体层之间，其中，所述第一氮化物半导体层包含p型杂质，以及其中，所述杂质区包含这样的杂质，该杂质具有的受主能级比所述p型杂质的受主能级深。
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