[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及加热部有效
| 申请号： | 201610084003.7 | 申请日： | 2016-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN105914163B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 村田等;和田优一;八幡橘;吉田秀成;西堂周平 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;孙明轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种衬底处理装置，其能够缩短处理炉内的温度稳定时间。该衬底处理装置具有：保持多张衬底的衬底保持件；设在衬底保持件的下方的隔热部；收纳衬底保持件并处理衬底的处理室；设在处理室的周围并对处理室内从侧部加热的第1加热部；处于处理室内并设在衬底保持件与隔热部之间的第2加热部，第2加热部具有：大致环状的发热部；和从发热部向下方延伸的下垂部，发热部收在直径比衬底小的环状区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 以及 加热 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，其具有：保持多张衬底的衬底保持件；设在所述衬底保持件的下方的隔热部；收纳所述衬底保持件并处理所述衬底的处理室；设在所述反应管的周围，并对所述处理室内从侧部加热的第1加热部；和处于所述处理室内并设在所述衬底保持件与所述隔热部之间的第2加热部，所述第2加热部具有：大致环状的发热部；和从所述发热部向下方延伸的下垂部，所述发热部收在直径比所述衬底小的环状区域内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
