[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201610082458.5 | 申请日: | 2010-10-07 |
公开(公告)号: | CN105762152B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/11521 | 分类号: | H01L27/11521;G11C11/405;H01L21/8258;H01L27/105;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/02;H01L27/12;H01L27/06;H01L29/786;G11C16/04;H01L27/11519;H01L27/11524 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 揭示了一种能够用作存储器件的半导体器件。存储器件包括多个存储单元,并且各个存储单元包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管设置在包含半导体材料的衬底上并具有在衬底中的沟道形成区。第二晶体管具有氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极与第二晶体管的源电极和漏电极中的一个彼此电连接。第二晶体管的极低的截止电流允许存储在存储单元中的数据即使在不供电的情况下也能保持相当长的时间。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,所述半导体器件包括:包括第一栅电极的第一晶体管,所述第一栅电极形成在衬底上;以及所述衬底上的第二晶体管,所述第二晶体管包括第二源电极和第二漏电极,其中,所述第二晶体管包括氧化物半导体层,所述氧化物半导体层包括第一沟道形成区,所述第一沟道形成区为本征或基本本征;以及其中,所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个彼此电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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