[发明专利]屏蔽栅-深沟槽MOSFET的屏蔽栅氧化层及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201610064114.1 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN105702736B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 陈正嵘 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 栾美洁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种屏蔽栅‑深沟槽MOSFET的屏蔽栅氧化层及其形成方法,包括:第1步,外延层上刻蚀形成有沟槽,采用热氧化生长工艺在沟槽的底部表面和侧壁表面形成第一氧化层;第2步,在第一氧化层的表面形成氮化层;第3步,采用多晶硅淀积工艺在氮化层的表面形成淀积多晶硅层;第4步,进行热氧化,将淀积多晶硅层全部氧化成第二氧化层,所述第一氧化层、氮化层和第二氧化层共同形成屏蔽栅氧化层。本发明通过在氮化层上淀积多晶硅并对多晶硅进行热氧化的方式取代了现有的在氮化层上直接通过SACVD淀积氧化层的方式,不但可以保证屏蔽栅与沟槽侧壁和沟槽底部之间用于隔离的屏蔽栅氧化层的厚度,而且简化了工艺条件,降低了生产成本,提高了产能。
搜索关键词: 屏蔽 深沟 mosfet 氧化 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种屏蔽栅‑深沟槽MOSFET中沟槽侧壁形成屏蔽栅氧化层的方法,其特征在于,包括如下步骤:第1步,外延层上刻蚀形成有沟槽,采用热氧化生长工艺在所述沟槽的底部表面和侧壁表面形成第一氧化层;第2步,在所述第一氧化层的表面形成氮化层;第3步,采用多晶硅淀积工艺在所述氮化层的表面形成淀积多晶硅层;第4步,进行热氧化,将所述淀积多晶硅层全部氧化成第二氧化层,所述第一氧化层、氮化层和第二氧化层共同形成屏蔽栅氧化层。
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