[发明专利]屏蔽栅-深沟槽MOSFET的屏蔽栅氧化层及其形成方法有效
申请号: | 201610064114.1 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105702736B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 陈正嵘 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽 深沟 mosfet 氧化 及其 形成 方法 | ||
1.一种屏蔽栅-深沟槽MOSFET中沟槽侧壁形成屏蔽栅氧化层的方法,其特征在于,包括如下步骤:
第1步,外延层上刻蚀形成有沟槽,采用热氧化生长工艺在所述沟槽的底部表面和侧壁表面形成第一氧化层;
第2步,在所述第一氧化层的表面形成氮化层;
第3步,采用多晶硅淀积工艺在所述氮化层的表面形成淀积多晶硅层;
第4步,进行热氧化,将所述淀积多晶硅层全部氧化成第二氧化层,所述第一氧化层、氮化层和第二氧化层共同形成屏蔽栅氧化层。
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅-深沟槽MOSFET中沟槽侧壁形成屏蔽栅氧化层的方法,其特征在于,所述淀积多晶硅层的厚度为1000埃~2500埃。
3.根据权利要求1所述的屏蔽栅-深沟槽MOSFET中沟槽侧壁形成屏蔽栅氧化层的方法,其特征在于,所述沟槽的深度为4微米~6微米,侧壁角度为86.5°~88.5°。
4.根据权利要求1所述的屏蔽栅-深沟槽MOSFET中沟槽侧壁形成屏蔽栅氧化层的方法,其特征在于,所述第一氧化层的厚度与MOSFET中栅氧化层的厚度相同,所述氮化层的厚度为500埃~1500埃。
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