[发明专利]一种氮化鎵基异质结半导体器件结构在审
| 申请号： | 201610011798.9 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106941116A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 苏冠创;黄升晖 | 申请（专利权）人： | 南京励盛半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210008 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化鎵基异质结半导体器件结构，包括以下特征氮化鎵基异质结材料中的宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与窄禁带材料GaN形成I型异质结，二维电子气(2DEG)位于异质结界面的GaN一侧，其中势垒层AlGaN中的一部份被渐变开孔腐蚀掉，渐变开孔腐蚀掉后的势垒层AlGaN其最终留下来的从低电压电极至高电压电极之间的势垒层AlGaN平均面积是增加的，这使得从低电压电极至高电压电极之间的2DEG平均浓度是上升的，这样可使得器件达到同样的击穿规格时，有更好的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 鎵基异质结 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化鎵基异质结半导体器件结构，包括以下特征：(1)有一层宽禁带势垒层AlGaN与窄禁带材料GaN形成I型异质结，二维电子气(2DEG)位于异质结界面的GaN一侧；(2)其中势垒层AlGaN中的一部份被渐变开孔腐蚀掉，渐变开孔腐蚀掉后的势垒层AlGaN其最终留下来的从低电压电极至高电压电极之间的势垒层AlGaN平均面积是上升的，这使得从低电压电极至高电压电极之间的2DEG浓度是增加的；(3)渐变开孔腐蚀掉后的势垒层AlGaN其材料结构上仍是连续的，即可从任一端经势垒层AlGaN材料连续地走到另一端。
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