[发明专利]集成电路的背侧隔离在审
| 申请号： | 201580084665.8 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN108292670A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | A·D·利拉克;R·米恩德鲁;H·W·肯内尔;P·B·菲舍尔;S·M·塞亚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的实施例描述用于集成电路(IC)的器件的背侧隔离和相关配置的技术。IC可以包括在半导体衬底上形成的多个器件(晶体管)。半导体衬底可以包括衬底区，其上形成一个或多个器件。沟槽可以布置在半导体衬底上的器件之间。在衬底区之间的半导体衬底的部分可以被去除以暴露相应的沟槽并形成隔离区。绝缘材料可以在隔离区中形成。可以描述和/或主张其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 多个器件 衬底区 隔离区 集成电路 隔离 绝缘材料 配置的 晶体管 去除 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：多个衬底区，其由半导体形成并且具有第一侧和第二侧；一个或多个电路器件，其形成在相应的衬底区的第一侧上；沟槽，其设置在不同衬底区的电路器件之间；以及隔离区，其设置在所述多个衬底区之间并且从所述沟槽延伸到所述多个衬底区的所述第二侧。
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