[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610134339.X | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107180784B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;龚春蕾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供底层衬底，底层衬底包括第一区域和与第一区域接触的第二区域，所述底层衬底为单晶态；图形化底层衬底，在第一区域形成凹槽，使第一区域底层衬底表面低于第二区域底层衬底表面；在第一区域的凹槽中形成绝缘层，绝缘层暴露出第二区域底层衬底部分侧壁；通过外延生长在暴露出的第二区域衬底表面形成顶层衬底；刻蚀部分第一区域顶层衬底，暴露出绝缘层，在第一区域形成第一鳍部。在凹槽中形成绝缘层，绝缘层能够实现第一鳍部与底层衬底之间的电绝缘，减少第一鳍部中载流子向底层衬底扩撒，从而能够减少第一鳍部底部漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供底层衬底，所述底层衬底包括第一区域和与第一区域接触的第二区域，所述底层衬底为单晶态；图形化所述底层衬底，在第一区域形成凹槽，使第一区域底层衬底表面低于第二区域底层衬底表面；在第一区域的凹槽中形成绝缘层，所述绝缘层暴露出部分凹槽侧壁的底层衬底表面；通过外延生长在暴露出的凹槽侧壁的底层衬底表面、以及绝缘层表面形成顶层衬底；刻蚀部分所述第一区域顶层衬底，暴露出所述绝缘层，在第一区域形成第一鳍部；形成横跨所述第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于所述第一鳍部的部分侧壁和顶部表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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