[发明专利]多个器件芯片的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010825811.0 申请日: 2020-08-17
公开(公告)号: CN112420608A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 松冈祐哉 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 乔婉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供多个器件芯片的制造方法,在对被加工物进行磨削而薄化从而分割的情况下防止器件芯片的角部缺损。该方法具有如下步骤:孔形成步骤,向被加工物的正面侧照射具有被被加工物吸收的波长的第1激光束,在多条分割预定线交叉的交叉部形成比相当于各器件芯片的完工厚度的深度深的孔;正面保护步骤,利用保护部件覆盖被加工物的正面侧;内部加工步骤,将具有透过被加工物的波长的第2激光束的聚光点定位于被加工物的内部,沿着各分割预定线从被加工物的背面侧照射第2激光束,在被加工物的内部形成强度相对较低的区域;和背面侧磨削步骤,对被加工物的背面侧进行磨削直至成为完工厚度为止,将被加工物分割成多个器件芯片。
搜索关键词: 器件 芯片 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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