[发明专利]氧化物半导体膜和半导体器件在审
| 申请号： | 201580015362.0 | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN106104811A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C01G41/00;C23C14/08;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成的氧化物半导体膜(14)，其中，所述氧化物半导体膜包括铟、钨和锌，所述氧化物半导体膜中的钨与所述氧化物半导体膜中的铟、钨和锌总和的含量比率高于0.5原子％且等于或低于5原子％，并且电阻率等于或高于10‑1Ωcm。还提供了一种包括所述氧化物半导体膜的半导体器件(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成，其中所述氧化物半导体膜包括铟、钨和锌，所述氧化物半导体膜中的钨与所述氧化物半导体膜中的铟、钨和锌的总和的含量比率高于0.5原子％且等于或低于5原子％，并且电阻率等于或高于10‑1Ωcm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580015362.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液体喷射装置和医疗设备
- 下一篇：环氧树脂组合物
- 同类专利
- 专利分类
