[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201510014320.7 | 申请日： | 2015-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105845663B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述半导体器件包括：第一基板，所述第一基板包括第一金属互连结构和第一键合层；第二基板，所述第二基板包括第二金属互连结构、保护层，及位于第二金属互连结构一侧的硅通孔，还包括位于所述硅通孔侧壁和底部的绝缘层、所述绝缘层上的扩散阻挡层、位于所述扩散阻挡层表面的金属互连层、以及位于所述第二基板正面的保护层上的第二键合层，其中，所述绝缘层、扩散阻挡层、金属互连层的总厚度小于所述硅通孔的半径；所述第二基板正面的第二键合层表面与所述第一基板的第一键合层表面相键合，并在所述硅通孔内形成有空隙。本发明的半导体器件，散热性能好，并保证了硅通孔的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一基板，位于所述第一基板表面的第一金属互连结构，位于所述第一基板表面的第一键合层，且所述第一键合层暴露出部分所述第一金属互连结构；第二基板，所述第二基板包括位于所述第二基板的正面的第二金属互连结构，位于所述第二基板正面的保护层，且所述保护层暴露部分所述第二金属互连结构，位于所述第二基板正面，且位于第二金属互连结构一侧的硅通孔，还包括位于所述硅通孔侧壁和底部的绝缘层，以及位于所述暴露出的第二金属互连结构、部分所述第二基板的正面和所述绝缘层上的扩散阻挡层，位于所述扩散阻挡层表面的金属互连层，以及位于所述第二基板正面的保护层上的第二键合层，所述第二键合层暴露位于所述第二基板表面上的金属互连层，其中，所述绝缘层、扩散阻挡层、金属互连层的总厚度小于所述硅通孔的半径；所述第二基板正面的第二键合层表面与所述第一基板的第一键合层表面相键合，所述硅通孔与暴露出的所述第一金属互连结构相对应，所述金属互连层分别与所述第一金属互连结构和第二金属互连结构电学连接，并在所述硅通孔内形成有空隙。
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