[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510010080.3 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104779290B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 江口聪司;中泽芳人 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件。提高包括功率半导体元件的半导体器件的可靠性。实施例的基本构思在于使单元区域的带隙小于外围区域的带隙。具体而言，在单元区域中形成具有比外延层的带隙更小的带隙的低带隙区域。此外，在外围区域中形成具有比外延层的带隙更大的带隙的高带隙区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体芯片，具有单元区域；以及外围区域，形成在所述单元区域的外侧，所述半导体芯片包括：(a)半导体衬底；(b)第一导电类型的外延层，形成在所述半导体衬底上方；(c)第二导电类型的多个第二导电类型柱区域，彼此隔开地形成在所述外延层中，所述第二导电类型是与所述第一导电类型相反的导电类型；(d)多个第一导电类型柱区域，所述多个第一导电类型柱区域是所述外延层的部分区域，每个所述第一导电类型柱区域插入在相互邻近的所述第二导电类型柱区域之间；以及(e)元件部分，形成在所述外延层的表面处，其中具有比所述外延层的带隙更小的带隙的低带隙区域形成在所述单元区域中。
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