[发明专利]碳化硅半导体器件

摘要

碳化硅半导体器件(1)具有碳化硅层(101)。碳化硅层(101)被提供有沟槽(TR)。在横截面图中，该沟槽(TR)具有作为第一侧壁表面(SW1)和底部(BT)之间的交点的第一角部(C1)，和作为第二侧壁表面(SW2)和底部(BT)之间的交点的第二角部(C2)。第一层(81)具有第二导电类型区(A)。在横截面图中，第二导电类型区(A)被布置成，与经过第一角部(C1)和第二角部(C2)中的任意角部的，并与形成碳化硅层(101)的碳化硅晶体的<0001>方向平行的线(11)相交。通过SP除以ST计算出的比率为不低于20％且不高于130％，其中在平面图中ST表示第一层(81)和第二层(82)之间的交界面(B)中的沟槽的总面积，SP表示第二导电类型区的总面积。因此，能够提供能实现抑制击穿电压降低的碳化硅半导体器件(1)。

主权项

一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅层，其具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面，所述碳化硅层包括：第一层，其形成所述第一主表面并具有第一导电类型，第二层，其被设置在所述第一层上并具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，以及第三层，其被设置在所述第二层上从而与所述第一层隔开，该第三层形成所述第二主表面并具有所述第一导电类型，所述碳化硅层的所述第二主表面被设置有沟槽，所述沟槽具有穿过所述第三层和所述第二层而到达所述第一层的侧壁表面和位于所述第一层中的底部，所述侧壁表面具有在横截面图中彼此相对的第一侧壁表面和第二侧壁表面，所述沟槽还具有在横截面图中作为所述第一侧壁表面和所述底部之间的交点的第一角部和作为所述第二侧壁表面和所述底部之间的交点的第二角部，所述第一层具有第二导电类型区，所述第二导电类型区相对于所述底部而位于所述第一主表面的侧上并具有所述第二导电类型，在横截面图中，所述第二导电类型区被布置成：与经过所述第一角部和所述第二角部中的任意角部的并且与形成所述碳化硅层的碳化硅晶体的<0001>方向平行的线相交，以及通过SP除以ST计算出的比率为不低于20％且不高于130％，其中，ST表示在平面图中的所述第一层和所述第二层之间的交界面中的所述沟槽的总面积，并且SP表示在平面图中的所述第二导电类型区的总面积，其中，所述第二导电类型区与所述沟槽的所述底部分离。