[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410578050.8 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104319284A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 廖忠平 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件结构及其制造方法，通过对第二柱状区的横向变掺杂的方式，使得半导体器件在满足低导通电阻的情况下，耐压性能也得到提高，具有低导通电阻高耐压的有益效果。本发明的半导体器件结构可应用于沟槽填充工艺制造的金属氧化物场效应晶体管中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：第一掺杂类型的第一半导体层；位于第一半导体层上的第一掺杂类型的第二半导体层；位于第二半导体层中的相互隔开的第一柱状区和第二柱状区，每两个相邻的第一柱状区之间为所述第二柱状区，其中，所述第二柱状区包括横向排列的第一子柱状区和第二子柱状区，所述第一子柱状区的掺杂浓度为从第一柱状区至第二子柱状区的方向浓度从高到低变化，所述第二子柱状区的掺杂浓度为从第一柱状区至第一子柱状区的方向浓度从高到低变化。
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