[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410415577.9 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104752505B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 千大焕;洪坰国;李钟锡;朴正熙;郑永均 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：布置在包括载流区和位于载流区两侧的终端区的n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n‑型外延层；布置在第一n‑型外延层上的p型外延层；布置在p型外延层上的第二n‑型外延层；布置在载流区中的第一沟槽；布置在各个终端区中的第二沟槽；布置在第一沟槽中的栅极绝缘层；布置在栅极绝缘层上的栅电极；以及布置在第二沟槽中的终端绝缘层，其中终端绝缘层的一侧接触p型外延层和第二n‑型外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：布置在包括载流区和位于所述载流区两侧的终端区的n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n‑型外延层；布置在所述第一n‑型外延层上的p型外延层；布置在所述p型外延层上的第二n‑型外延层；布置在所述载流区中的所述第二n‑型外延层的一部分上的n+区；布置在所述载流区中的第一沟槽；布置在各个所述终端区中的第二沟槽；布置在所述第一沟槽中的栅极绝缘层；布置在所述栅极绝缘层上的栅电极；布置在所述第二沟槽中的终端绝缘层；以及位于所述n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏电极，其中所述终端绝缘层的一侧接触所述p型外延层和所述第二n‑型外延层，所述第一沟槽穿过所述n+区、所述第二n‑型外延层和所述p型外延层，并形成于所述第一n‑型外延层的一部分上，在所述第一沟槽两侧的所述第二n‑型外延层和所述第一沟槽两侧的所述p型外延层中布置沟道，所述沟道包括布置在所述第一沟槽两侧的所述p型外延层中的第一沟道，以及布置在所述第一沟槽两侧的所述第二n‑型外延层中的第二沟道，并且所述第一沟道是反型层沟道，所述第二沟道是积累层沟道。
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