[发明专利]衬底、其半导体封装及其制造工艺在审
| 申请号： | 201410312237.3 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105226031A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 陈天赐;王圣民;陈光雄;李育颖 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底、其半导体封装及其制造工艺。所述衬底包括：下电路层，具有下表面；上电路层，安置于所述下电路层上；电介质层，介于所述上电路层与所述下电路层之间，且界定出多个开口；及导电连接材料，位于所述开口中；其中所述上电路层的部分延伸到所述开口，且通过所述导电连接材料与所述下电路层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 封装 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种衬底，其包括：下电路层，具有下表面；上电路层，安置于所述下电路层上；电介质层，介于所述上电路层与所述下电路层之间，且界定出多个开口；及导电连接材料，位于所述开口中；其中所述上电路层的部分延伸到所述开口，且通过所述导电连接材料与所述下电路层连接。
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