[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310527101.X | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103794649B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | A.迈泽尔;M.佩尔茨尔;T.施勒泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,胡莉莉 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件被至少部分地形成在半导体衬底中，该衬底包括第一和第二相对主表面。该半导体器件包括单元场部分和接触区域，该接触区域被电耦合到该单元场部分，该单元场部分包括至少晶体管。该接触区域包括与其它衬底部分绝缘且包括半导体衬底的一部分的连接衬底部分；与第二主表面邻近且与连接衬底部分接触的电极；和在第一主表面上设置的金属层，连接衬底部分被电耦合到金属层以在电极和金属层之间形成欧姆接触。连接衬底部分未通过在第一和第二主表面之间设置的导电材料而被电耦合到单元场部分的部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，被至少部分地形成在半导体衬底中，所述半导体衬底包括第一主表面和第二主表面，所述第一主表面和所述第二主表面彼此相对，所述半导体器件包括单元场部分和接触区域，所述接触区域被电耦合到所述单元场部分，所述单元场部分至少包括晶体管，所述接触区域包括：与其它衬底部分绝缘且包括所述半导体衬底的一部分的连接衬底部分，所述连接衬底部分未利用所述半导体衬底而被电耦合到所述单元场部分的部件；与所述第二主表面邻近且与所述连接衬底部分接触的电极；以及在所述第一主表面上设置的金属层，所述连接衬底部分经由对衬底接触沟槽内的导电材料的接触部而被电耦合到所述金属层以形成所述电极和所述金属层之间的接触。
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