[发明专利]利用应变技术的半导体器件有效
| 申请号： | 201310342337.6 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104241361B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李东颖;黄玉莲;陈忠贤;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、在栅极区中设置在衬底上方的鳍结构。鳍结构包括作为鳍结构的下部的第一半导体材料层、作为鳍结构的中部的半导体氧化物层和作为鳍结构的上部的第二半导体材料层。半导体器件还包括在衬底上方设置在两个相邻鳍结构之间的介电部件。介电部件的顶面位于比半导体氧化物层高距离d的水平面内。半导体器件还包括设置在栅极区中的高k（HK）电介质/金属栅极（MG）叠层，包括覆盖在鳍结构的一部分上方。本发明还提供了利用应变技术的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 应变 技术 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有栅极区；鳍结构，在所述栅极区中设置在所述衬底上方，所述鳍结构包括：第一半导体材料层，作为所述鳍结构的下部，所述第一半导体材料层从所述衬底突出；半导体氧化物层，作为所述鳍结构的中部；和第二半导体材料层，作为所述鳍结构的上部；介电部件，在所述衬底上方设置在两个相邻鳍结构之间，其中，所述介电部件的顶面位于比所述半导体氧化物层高距离d的水平面中；以及高k(HK)电介质/金属栅极(MG)叠层，设置在所述栅极区中，包括覆盖在所述鳍结构的一部分上方；其中，所述半导体氧化物层通过所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间的界面转换而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310342337.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电梯安全运行自动锁定装置
- 下一篇：一种用于电梯机房中的极限开关
- 同类专利
- 专利分类
