[发明专利]利用应变技术的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有栅极区；

鳍结构，在所述栅极区中设置在所述衬底上方，所述鳍结构包括：

第一半导体材料层，作为所述鳍结构的下部，所述第一半导体材料层从所述衬底突出；

半导体氧化物层，作为所述鳍结构的中部；和

第二半导体材料层，作为所述鳍结构的上部；

介电部件，在所述衬底上方设置在两个相邻鳍结构之间，其中，所述介电部件的顶面位于比所述半导体氧化物层高距离d的水平面中；以及

高k(HK)电介质/金属栅极(MG)叠层，设置在所述栅极区中，包括覆盖在所述鳍结构的一部分上方；

其中，所述半导体氧化物层通过所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间的界面转换而成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料层包括硅(Si)。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体材料层包括外延生长的硅锗(SiGe_x)，其中，x是Ge组分的原子百分比。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体氧化物层包括硅锗氧化物(SiGeO_y)层，其中，y是氧组分的原子百分比。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述距离d大于等于0nm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体氧化物层的轮廓选自由平面、v形、胡萝卜形、凹面、凸面和波浪形轮廓所组成的组。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体氧化物层具有中心部分和外围部分，其中，所述中心部分包括所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的界面，而所述外围部分包括所述半导体氧化物层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述鳍结构进一步包括设置在所述第二半导体材料上方的第三半导体材料。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，第二半导体氧化物层设置在所述第三半导体材料和所述第二半导体材料之间。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

鳍结构，设置在所述衬底上方，所述鳍结构包括：

第一半导体材料层，作为所述鳍结构的下部，所述第一半导体材料层从所述衬底突出；

半导体氧化物层，作为所述鳍结构的中部；和

第二半导体材料层，作为所述鳍结构的上部；

介电部件，在所述衬底上方设置在两个相邻鳍结构之间，其中，所述介电部件的顶面位于比所述半导体氧化物层高距离d的水平面内；以及

高k(HK)电介质/金属栅极(MG)叠层，设置在所述鳍结构上方；

其中，所述半导体氧化物层通过所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间的界面转换而成。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料层包括硅(Si)。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第二半导体材料层包括外延生长的硅锗(SiGe_x)，其中，x是Ge组分的原子百分比。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述半导体氧化物层包括硅锗氧化物(SiGeO_y)层，其中，y是氧组分的原子百分比。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，距离d大于等于0nm。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述半导体氧化物层的轮廓选自由平面、v形、胡萝卜形、凹面、凸面和波浪形轮廓所组成的组。

16.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述半导体氧化物层具有中心部分和外围部分，其中，所述中心部分包括所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的界面，而所述外围部分包括所述半导体氧化物层。

17.根据权利要求10所述的半导体器件，所述鳍结构进一步包括设置在所述第二半导体材料上方的第三半导体材料。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，第二半导体氧化物层设置在所述第三半导体材料和所述第二半导体材料之间。