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[发明专利]一种基于智能配变终端的多模式控制的光伏并网逆变器-CN202110253280.7有效
发明人：李练兵;刘艳杰;范辉;梁纪峰;李佳祺;李东颖;周文;李铁成;罗蓬;冯慧波 -专利权人：河北工业大学;国网河北省电力有限公司电力科学研究院;国网河北省电力有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明为一种基于智能配变终端的多模式控制的光伏并网逆变器。该逆变器包括智能配变终端单元、扩展功率信号检测模块、光伏逆变器、光伏电池、电容电池；其连接关系为：智能配变终端单元与扩展功率信号检测模块相连，扩展功率信号检测模块与光伏逆变器相连，光伏逆变器输入侧连接光伏电池和电容电池。本发明可以解决现有设备或方法能效比不足的问题，实现光伏逆变器的多功能模式转换，有效解决线损问题使电网的能效比明显增高并且提高系统的主动支撑性。
一种基于智能终端模式控制并网逆变器

[发明专利]存储器系统和存储器阵列的操作方法-CN202310204420.0在审
发明人：柯文昇;吴秉骏;李东颖;张孟凡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了存储器系统和存储器阵列的操作方法。用于执行存储器中计算(CiM)操作的存储器系统包括存储器阵列和处理电路。存储器阵列包括多个存储器单元。处理电路耦合到存储器阵列，并且包括编程电路和控制电路。编程电路耦合到存储器阵列，并且被配置为执行用于编程存储器单元的电特性的写入操作。控制电路耦合到编程电路，并且被配置为：接收对应于多个权重值的多个权重数据；以及控制由编程电路执行的写入操作，从而按照权重值的序列顺序对存储器单元的电特性进行编程。
存储器系统阵列操作方法

[发明专利]一种基于LLC的感应加热系统-CN202111010703.9有效
发明人：李练兵;张佳伟;向红军;李东颖;李脉;李佳祺;李思佳;张金龙;段光欣;刘艳杰 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H05B6/02 文献下载
摘要：本申请提供一种基于LLC的感应加热系统，包括：T型LLC模块，用于感应加热，具有电容电压与输入电压；逆变桥模块，用于将直流电源转换为交流电给所述T型LLC模块供电；控制系统，用于获取所述T型LLC模块的电容电压与输入电压在k时刻的相位差θb(t＝k)；根据所述相位差θb(t＝k)，向所述逆变桥模块输出PWM信号，使得所述电容电压与输入电压在k+1时刻的相位差θb(t＝k+1)保持在设定角度范围θc内。本申请提供一种基于LLC的感应加热系统，可使得当T型LLC模块负载发生变化时，依然可使所述T型LLC模块处于谐振状态，提高了工作效率。
一种基于 llc 感应加热系统

[发明专利]一种基于前馈控制的并联虚拟同步机功率解耦方法-CN202110240761.4有效
发明人：李练兵;康伟伟;范辉;梁纪峰;曾四鸣;何桂欣;李东颖;李佳祺;李铁成;赵宇皓;周文;王磊 -专利权人：河北工业大学;国网河北省电力有限公司电力科学研究院;国网河北省电力有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明为一种基于前馈控制的并联虚拟同步机功率解耦方法。该方法通过在有功‑频率环节，无功‑电压环节增加前馈控制，并设计J,D参数，调节励磁系数kf来调整模型根位，结合动态虚拟复阻抗控制方法，实现并联虚拟同步机功率解耦，运用保持滤波器优化系统惯性，运用自适应偏差调节器调节频率偏差，提高了系统的响应速度和稳定性，实现了运行条件变化时频率和功率的动态调节。
一种基于控制并联虚拟同步功率方法

[发明专利]一种对称式双模光伏逆变器装置-CN202110237998.7有效
发明人：李练兵;段光欣;张佳伟;李东颖;田云峰;刘汉民;马步云;王阳;杨海跃;王正平;荆锴 -专利权人：河北工业大学;国网新源张家口风光储示范电站有限公司;国网河北省电力有限公司衡水供电分公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明为一种对称式双模光伏逆变器装置。该装置包括控制模块、BOOST升压模块、电源切换模块、信息采集模块、蓄电池、IGBT逆变模块和储能双向DC/DC充放电模块；控制模块分别和电源切换模块、信息采集模块相连，还分别通过BOOST驱动板和BOOST升压电路相连、通过逆变IGBT驱动板和逆变IGBT电路相连；信息采集模块分别和BOOST升压模块、IGBT逆变模块相连，BOOST升压模块还和IGBT逆变模块相连；蓄电池还分别和储能双向DC/DC充放电模块、电源切换模块相连；电源切换模块、BOOST升压模块、储能双向DC/DC充放电模块分别和光伏板相连；本发明解决了光伏板发电功率低时供电能力不足，发电功率高时资源浪费的问题。
一种对称双模逆变器装置

[发明专利]一种星载高增益宽频带小型化复合天线-CN202110908260.9有效
发明人：苏醒;孔令兵;叶声;马岩冰;李东颖;李标;欧阳尚荣 -专利权人：上海航天测控通信研究所
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种星载高增益宽频带小型化复合天线，包括：多个对数周期振子，所述多个对数周期振子两两交叉，截面成上窄下宽的“Λ”形结构；馈电同轴电缆，分别附在相邻两个对数周期振子上，通过电磁耦合对振子进行馈电。本发明采用变张角的对数周期振子天线，通过交叉放置在金属底板上提高了天线的增益；引入金属耦合环结构，在不额外增加天线外包络尺寸前提下，拓宽了天线低频段的带宽，提高了天线带内方向图稳定性；采用高强度固定绳索在不增加重量及体积前提下改善了天线的结构强度。本发明具有高增益、宽频段的良好电性能，以及低剖面、小型化、整体结构刚度高等良好机械性能。
一种星载高增益宽频小型化复合天线

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810731334.4有效
发明人：萧孟轩;陈维宁;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体结构，其包括第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包括半导体衬底，其具有顶面和所述顶面处的掺杂有第一导电性掺杂剂的第一抗穿通区域。所述第一晶体管进一步包括位于所述半导体衬底的所述顶面上方第一距离处的第一沟道。所述第二晶体管包括所述半导体衬底的所述顶面处的掺杂有第二导电性掺杂剂的第二抗穿通区域。所述第二晶体管进一步包括位于所述半导体衬底的所述顶面上方第二距离处的第二沟道，所述第二距离大于所述第一距离。本发明实施例还涉及一种用于制造本文中所描述的半导体结构的方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种用于杆件整体刚度测量的位移传递装置-CN202310311173.4在审
发明人：易文韬;郑扬;徐文莉;赖国泉;李东颖;杨潇杰 -专利权人：上海航天电子通讯设备研究所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01M5/00 文献下载
摘要：本发明涉及结构力学试验测量技术领域，尤其涉及一种用于杆件整体刚度测量的位移传递装置，包括，连接部件，设于杆件的两端，用于所述杆件的连接和固定；测量部件，用于转换、测量杆件的整体形变，并反演得到杆件的整体刚度。其中，所述连接部件包括工装叉耳和销钉；所述测量部件包括第一长销、第二长销和分别与其连接的转接块。本发明所述转接块布置在所述被测杆件上下两端叉耳上，使用粘接剂连接固定，与传统杆件整体刚度测量策略相比，所述转接块不与所述工装叉耳和所述销钉产生联系，直接与所述被测杆件的叉耳连接，消除了所述工装叉耳和所述销钉在加载过程因变形产生的测量误差，提高了测量结果的准确性，实现了杆件整体刚度的高精度测量。
一种用于整体刚度测量位移传递装置

[发明专利]纳米线堆叠栅极全环绕元件及制造方法、及半导体结构-CN201910329043.7有效
发明人：王梓仲;郑兆钦;陈自强;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本揭露描述用于形成栅极全环绕FET元件中源极/漏极区域与纳米线通道区域之间的低电阻接合面的技术。一种半导体结构包括基板、垂直堆叠于基板之上的多个单独半导体纳米线条、邻接多个单独半导体纳米线条中的每一者且侧向接触多个单独半导体纳米线条中的每一者的半导体磊晶区域、至少部分地在多个单独半导体纳米线条之上的栅极结构以及侧向位于半导体磊晶区域与栅极结构之间的介电结构。
纳米堆叠栅极环绕元件制造方法半导体结构

[发明专利]包含分泌蛋白质组的药物和化妆品组合物-CN202180048127.9在审
发明人：李昭男;李育达;李东颖 -专利权人：艾克塞利瑞提德生物技术公司
申请日： 2021-05-04 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： A61K38/20 文献下载
摘要：公开了包含分泌蛋白质组例如从干细胞分泌的蛋白质的药物或化妆品组合物以及其用途。含有分泌蛋白质组和可接受赋形剂的组合物可以不含细胞。所述组合物可用于诱导免疫反应、治疗炎性反应、治疗微生物感染、细胞分化、伤口愈合、胚胎发育、胎盘发育、中枢神经系统发育或形态发生。
包含分泌蛋白质药物化妆品组合

[发明专利]非永生性多能干细胞-CN202180048178.1在审
发明人：李昭男;李育达;李东颖 -专利权人：艾克塞利瑞提德生物技术公司
申请日： 2021-05-04 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C12N5/071 文献下载
摘要：本文公开了由胚外干细胞如滋养层干细胞体外产生的非永生性多能干细胞、其组合物及其用途。本文还公开了用一种或多种诱导剂培养体外产生的非永生性多能干细胞以产生细胞群体的方法。本文还公开了通过利用本文公开的细胞和由其分化的细胞治疗病症或病况的方法。
永生多能干细胞

[发明专利]一种多通道可转动微波链路空间结构-CN202211310445.0在审
发明人：刘良玉;杨潇杰;刘嘉琛;王洪;李东颖 -专利权人：上海航天测控通信研究所
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种多通道可转动微波链路空间结构，包括：旋转关节、关节支架、连接波导、波导支架、波导垫片、支架垫片、分路波导、二维指向机构。多个旋转关节以并联形式布置在二维指向机构的X或Y轴框架内部，旋转关节的固定端通过关节支架固定在对应X或Y轴框架上，旋转关节的转动端通过连接波导间接固定在二维指向机构的中间框架上；多路连接波导将X轴框架内的旋转关节的转动端与Y轴框架内的旋转关节的对应转动端连接，形成多个关节间微波链路；分路波导固定在旋转关节的固定端处。本发明通过旋转关节的两轴并联布局在有限空间内实现了两轴多通道微波信号的传输，且电信号传输稳定、调试难度低、结构紧凑、通道易扩展、散热性能良好。
一种通道转动微波空间结构

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201810255464.5有效
发明人：郑兆钦;杨玉麟;云惟胜;徐振峰;李东颖;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在半导体装置的制造方法中，形成鳍结构，其中第一半导体层与第二半导体层交互堆叠。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。蚀刻未被牺牲栅极结构覆盖的鳍结构的源极/漏极区，借此形成源极/漏极空间。通过源极/漏极空间侧向蚀刻第一半导体层。在被蚀刻的第一半导体层的每一个的一端上形成由介电材料制成的内间隔物。在源极/漏极空间中形成源极/漏极外延层以覆盖内间隔物。在侧向蚀刻第一半导体层之后，每一个第一半导体层的侧端具有V形截面。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构、形成堆叠单元层及堆叠二维材料层的方法-CN202210055173.8在审
发明人：沈新伟;陈则安;李东颖;李连忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构包括半导体衬底、多个堆叠单元、导电结构、多个介电质、第一电极条带、第二电极条带以及多个接触结构。堆叠单元在半导体衬底之上向上堆叠，且包括第一钝化层、第二钝化层及夹置在第一钝化层与第二钝化层之间的沟道层。导电结构设置在半导体衬底上且包绕在堆叠单元周围。介电质环绕堆叠单元且将堆叠单元与导电结构分离。第一电极条带与第二电极条带位于导电结构的两个相对的侧上。接触结构将堆叠单元中的每一者的沟道层连接到第一电极条带及第二电极条带。
半导体结构形成堆叠单元二维材料方法

[发明专利]存储单元、集成电路以及存储单元的制造方法-CN202210174803.3在审
发明人：林毓超;李东颖;邱大秦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种存储单元包括底部电极、第一介电层、可变电阻层以及顶部电极。第一介电层在侧向上环绕底部电极。底部电极的顶表面位于比第一介电层的顶表面的水平高度低的水平高度处。可变电阻层设置在底部电极以及第一介电层上。可变电阻层与底部电极的顶表面以及第一介电层的顶表面接触。顶部电极设置在可变电阻层上。
存储单元集成电路以及制造方法

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