[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310277040.6 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104282748B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例半导体器件可以包括衬底；在衬底上形成的第一背栅和第二背栅；在第一背栅的相对的第一侧面和第二侧面上分别形成的第一鳍，以及在第二背栅的仅第一侧面上形成的第二鳍；夹于第一背栅与第一鳍之间的第一背栅介质层，以及夹于第二背栅与第二鳍之间的第二背栅介质层；以及在衬底上形成的与第一背栅和第一鳍相交的第一栅堆叠，以及在衬底上形成的与第二背栅和第二鳍相交的第二栅堆叠，各栅堆叠与相应背栅之间通过电介质层隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上形成的第一背栅和第二背栅，第一背栅和第二背栅各自均具有彼此相对的第一侧面和第二侧面，第一背栅的第一侧面与第二背栅的第一侧面对准，第一背栅与第二背栅成一体，且第一背栅的宽度比第二背栅的宽度窄大约第一鳍的宽度；在第一背栅的第一侧面和第二侧面上分别形成的第一鳍，以及在第二背栅的仅第一侧面上形成的第二鳍，在第一背栅的第一侧面上形成的第一鳍与第二鳍对准且成一体；夹于第一背栅与第一鳍之间的第一背栅介质层，以及夹于第二背栅与第二鳍之间的第二背栅介质层；以及在衬底上形成的与第一背栅和第一鳍相交的第一栅堆叠，以及在衬底上形成的与第二背栅和第二鳍相交的第二栅堆叠，各栅堆叠与相应背栅之间通过电介质层隔离。
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