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[发明专利]CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法-CN202010878375.3在审
发明人：石晶;朱巧智 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法，形成P型扩散区电阻的扩散区；形成P型多晶硅电阻的多晶硅结构；在CMOS工艺源漏区离子注入的过程中，在扩散区和多晶硅结构上注入能量为8keV的氟离子；在多晶硅结构上覆盖一层SAB结构，并将多晶硅结构的两端露出；在扩散区上覆盖一层SAB结构，并将扩散区的两端露出；在多晶硅结构两端露出的部分和扩散区两端露出的部分分别形成接触孔。本发明通过在MOSFET器件源漏区域形成过程中调整联合注入氟离子的能量，同时改变P型多晶硅中晶粒尺寸和扩散区硼离子浓度分布，进而实现P型多晶硅电阻和P型扩散区电阻阻值的反向调节。
cmos 工艺多晶电阻扩散反向调节方法

[发明专利]PNP双极型晶体管制造方法-CN202010679216.0在审
发明人：石晶;朱巧智 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及PNP双极型晶体管制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过在PNP双极型晶体管的发射极引入氟离子，利用氟对硼离子的扩散抑制作用和剂量损失加强作用，可调节PNP双极型晶体管的Vbe参数，Vbe是指晶体管处于导通状态时的发射结电压，并通过调节氟离子注入能量和剂量实现PNP双极型晶体管的Vbe参数的可控调节，为带隙基准电压源电路的灵活设计奠定基础。
pnp 双极型晶体管制造方法

[发明专利]一种带沟槽结构的双极型晶体管及其制作方法-CN201711374117.6有效
发明人： 朱巧智;刘巍 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构及其制造工艺，提供了一种带沟槽结构的双极型晶体管制造方法，具体包括：提供半导体衬底；制作浅沟槽隔离结构以定义器件有源区；在上述有源区形成N型阱和P型阱以定义上述双极型晶体管的第一区域、第二区域以及第三区域；对上述第一区域内邻接上述浅沟槽隔离结构的部分进行蚀刻以形成沟槽；执行离子注入以形成上述双极型晶体管的发射极、基极和集电极；在上述沟槽内形成金属硅化物阻挡结构；形成上述双极型晶体管的金属电极，其中上述发射极形成在上述第一区域内。本发明还提供了一种带沟槽结构的双极型晶体管。根据本发明所提供的晶体管，能够有效提高电流增益的增幅并保证电流增益的稳定性。
双极型晶体管第一区域沟槽结构浅沟槽隔离结构电流增益发射极源区蚀刻半导体结构金属硅化物第二区域定义器件金属电极制造工艺阻挡结构集电极邻接晶体管衬底制作半导体离子增幅制造保证