[发明专利]等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置有效

申请号：	201210483923.8	申请日：	2012-11-23
公开（公告）号：	CN102994982A	公开（公告）日：	2013-03-27
发明（设计）人：	张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号：	C23C16/50	分类号：	C23C16/50
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	罗建民;陈源
地址：	100015 北***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。
搜索关键词：	等离子体增强化学沉积极板装置方法
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【主权项】：

一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置，包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：能在所述基板上产生与所述基板平行的电场的电极块。

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摘要：一种制备高温螺栓石墨烯涂层的设备，包括真空螺栓样品仓、闸阀A、过渡仓A、机械手A、真空仓、高温旋转平台挡板、螺栓、高温三轴位移平台、隔热层、等离子气相沉积发生器、机械手B、闸阀B、过渡仓B和真空退火装置，真空仓内设置高温三轴位移平台，高温三轴位移平台上设置高温旋转平台，高温旋转平台上设置有隔热层，隔热层上放置螺栓，螺栓的两侧设置高温旋转平台挡板，螺栓的上方设置等离子气相沉积发生器，真空仓的两侧设置真空螺栓样品仓和真空退火装置，真空螺栓样品仓连接过渡仓A，过渡仓A连接真空仓，真空退火装置连接过渡仓B，过渡仓B连接真空仓。本发明具有以下有益效果：直接将石墨烯润滑到螺栓表面杜绝腐蚀，碳化问题并实现在线退火工艺。

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摘要：本发明公开了一种用于PECVD设备的石墨舟推舟机构，包括推舟及设于推舟上的一对推舟杆组件，各所述推舟杆组件远离所述推舟的一端设有旋转式拉舟块，所述推舟上设有用于驱动旋转式拉舟块转动的驱动组件，所述驱动组件与所述推舟杆组件连接，本发明具有结构简单、能够顺利进入石墨舟底部并可靠拉舟等优点。

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摘要：本发明公开了一种改善管式PECVD色差降级的镀膜方法，包括以下步骤，步骤一，分色：对所产生的色差片进行分色，以目标颜色的膜厚为基准，将低于或高于该准色差片进行分类，分成低于该基准的返工片和低于该基准的降级片；步骤二，测试：对于颜色不达标的降级片通过膜厚测试，确定与基准范围的差距。该改善管式PECVD色差降级的镀膜方法极大地降低了镀膜色差的返工比例，提高了整体合格率，同时也降低了返工成本。

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摘要：本发明公开了一种电极及工件运动的等离子真空镀膜设备及使用方法，该设备包括运动电极、真空排气装置、等离子真空腔体和带动工件的运动装置、等离子体放电源、进气管道,等离子体放电源及真空排气装置设置在等离子真空腔体的外部，运动电极和带动工件的运动装置在等离子真空腔体的内部。该设备的使用方法包括以下步骤：等离子真空腔体进行抽真空对待镀膜工件进行镀膜等。本发明采取等离子体增强化学气相沉积方法提高了镀膜的沉降速率和镀膜生产效率，使镀膜的均匀性和一致性得到改善，同时也提高涂层的防水、防汗液、防潮、耐腐蚀、耐溶剂等防护效果，可用于各种PCB、PCBA、电子产品、电器零部件、电子半成品、金属、电子元器件、半导体、集成电路板、塑胶制品等镀膜的场合。

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摘要：本实用新型公开了一种高通量PECVD装置，包括：反应腔室；设置于反应腔室内的沉积台，沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区，每个所述沉积微区的温度独立可调；每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元，每个所述等离子体激发单元分别包括一反应气体导入通道。实用新型本实用新型通过一次实验可以实现几十个或上百个工艺条件的研究，大大加快试验效率，加快新材料和工艺的开发和筛选；大大提高衬底材料的利用率，减少成本；大大减少新材料和新工艺的开发时间和开发成本，加速新材料的开发进程和应用。

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摘要：一种具有调制结构的高绝缘纳米防护涂层的制备方法，属于等离子体技术领域，该方法中，将反应腔室抽真空度，并通入惰性气体，使基材产生运动，采用交替进行低偶极矩有机物涂层和有机硅涂层制备或有机氟碳涂层制备的方式，形成低偶极矩‑有机硅/氟碳的调制多层致密结构，可降低涂层的应力，提高涂层的韧性；同时由于低偶极矩‑有机硅/氟碳之间存在横向界面，腐蚀介质对涂层进行腐蚀过程中，遇到横向界面，则腐蚀会往横向发展，而不容易形成贯穿涂层的纵向腐蚀，避免腐蚀介质透过涂层而腐蚀被保护的材料与器件；同时，由于调制纳米层状结构的超晶格效应，层层之间位错的堆积，使得涂层更不容易被击穿，耐水下通电能力得到有效提高。

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摘要：一种复合结构高绝缘硬质纳米防护涂层的制备方法，属于等离子体技术领域，该方法中，将反应腔室抽真空度，并通入惰性气体，使基材产生运动，筛选出具有低偶极矩和高化学惰性的有机硅单体，通过多官能度单体调控涂层的自由体积和致密性，使得涂层同时具有高绝缘性、优异的防护性和耐磨性。在高绝缘性涂层上沉积有机硅涂层，并进行表面的硬质处理，形成致密结构的硬质涂层,本发明的涂层在相同厚度下比派瑞林等现有涂层具有更优异的防护性能、绝缘性能和耐磨性。解决了目前采用派瑞林等涂层存在的涂层耐磨性不足、厚度太厚、生产效率低等问题，硬质化处理，增加了涂层中复合耐磨二氧化硅结构，有效提高了涂层的硬度和耐磨性。

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摘要：提供在使用了高电压的情况下也能抑制异常放电的等离子体CVD装置。等离子体CVD装置(100)的特征在于，具备：形成等离子体空间的腔室(61)、配置于贯通腔室(61)的壁(61a)的端子导入孔(62)的电力导入端子(10)，电力导入端子(10)具有绝缘件(21)和棒状导电体(11)，绝缘件(21)具有贯通孔(22)，棒状导电体(11)插通于贯通孔(22)，棒状导电体(11)的一端配置在腔室(61)内，棒状导电体(11)的另一端与向腔室(61)内供给电力的电源(E)电连接，绝缘件(21)的内壁面(211)与棒状导电体(11)之间的间隙小于2mm，从绝缘件(21)的配置于腔室(61)内的等离子体空间的一端至绝缘件(21)与棒状导电体(11)的接点(221)为止的距离比10mm大。

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摘要：本发明公开了一种转动PECVD系统，包括安装台，安装台上安装有管式炉，管式炉中间安装有石英管，石英管中间设有螺旋送料器，石英管进料端依次设有供气系统和进料料斗，进料料斗与管式炉之间设有与石英管固定连接的转动齿轮，转动齿轮与直流电机进行传动连接，石英管出料端依次固定有出料料斗和真空机组。本发明使质量和热量的传递更加有利，改善了包覆均匀性，通过回转炉体的不断旋转，颗粒不断改变位置和翻动，实现于与反应气体的良好接触；回转炉的转速可调,从而可以改变炉内粒子运动状态，调节气固接触状况；最终实现可控、高效且均匀的涂层包覆；通过在回转炉的两侧安装进出料的密封料斗实现连续化作业。

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发明人：刘训春 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C23C16/50
摘要：本发明公开一种等离子体增强化学气相淀积腔室、设备及其控制方法，该等离子增强化学气相淀积设备，至少包括射频电源和等离子体增强化学气相淀积腔室，其中，等离子体增强化学气相淀积腔室具有上盖、进气管、进气嘴、进气口、匀气室、腔室外壳和载片下电极。进气口位于上盖中并与下方的匀气室相连通，进气管通过进气嘴与进气口相连通，射频电源的一端与载片下电极相连接，另一端接地，进气管、进气嘴、上盖、和匀气室均接地。本发明不仅避免了进气处粉末的产生，而且可灵活地应用于需要增加薄膜与衬底粘附性和不希望产生晶格损伤等各种不同的场合。

一种气相沉积设备-201810622325.1
发明人：叶侃 -专利权人：叶侃
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C23C16/50
摘要：本发明公开了一种气相沉积设备，其包括气体流入箱等，真空箱位于气体流入箱的一侧，等离子气体存储箱位于真空箱的一侧，工作台固定在气体流入箱、真空箱、等离子气体存储箱上，输送管道连接等离子气体存储箱，多个高温沉积箱都固定在高温沉积箱和高温成型箱的两侧，多个冷却管都固定在高温沉积箱和高温成型箱的顶部，多个显示屏都固定在高温沉积箱和高温成型箱的一侧。本发明通过高温有效的完成了气相沉积，提高了沉积的速度和效率，成型的速度也得到了提高，让气相的沉积变得更加方便，可以有效的降低温度，保护沉积设备更加安全，提高了沉积设备的使用寿命。

高通量PECVD装置和方法-201810480213.7
发明人：项晓东;邬苏东;张欢;杨熹;盛江;叶继春 -专利权人：宁波英飞迈材料科技有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C23C16/50
摘要：本发明公开了一种高通量PECVD装置，包括：反应腔室；设置于反应腔室内的沉积台，沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区，每个所述沉积微区的温度独立可调；每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元，每个所述等离子体激发单元分别包括一反应气体导入通道。本发明还公开了一种高通量PECVD薄膜沉积方法，将位于同一反应腔室的沉积区域，分立成多个独立的沉积微区，每个沉积微区的反应气体和温度独立可控。本发明通过一次实验可以实现几十个或上百个工艺条件的研究，大大加快试验效率，加快新材料和工艺的开发和筛选；大大提高衬底材料的利用率，减少成本；大大减少新材料和新工艺的开发时间和开发成本，加速新材料的开发进程和应用。

等离子体增强化学气相沉积设备-201721629939.X
发明人：胡冬冬 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： C23C16/50
摘要：本实用新型公开一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括：真空腔体(10)，设置有多个加热元件；加热台(20)，设置在真空腔体的内部；匀气装置(30)，设置在真空腔体的内部，并位于加热台的上方，且朝向加热台出气；以及进气装置(40)，设置在真空腔体的外部，并与匀气装置相通，所述等离子体增强化学气相沉积设备还包括：通孔(11)，设置所述真空腔体(10)的位置高于所述加热台(20)的腔壁上，并且通过透明密封件(50)而与真空腔体实现密封连接，以及红外热像仪(60)，其设置在真空腔体的外侧，并经由透明密封件对加热台的温度进行探测。本实用新型的等离子体增强化学气相沉积设备的操作简单，且测量范围比较广，测量结果更加准确。

一种用于PECVD设备的进气混合装置-201721690902.8
发明人：李致文;余仲;张勇 -专利权人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C23C16/50
摘要：本实用新型公开了一种用于PECVD设备的进气混合装置，包括第一进气引管、第二进气引管和出气口，还包括一分别与所述第一进气引管、所述第二进气引管和出气口连通的混气盒，所述混气盒内设有迷宫式的混气通道。本实用新型通过增加迷宫式的混气通道，保证两种工艺气体在送至PECVD设备的反应室之前已充分混合，使工艺气体达到最佳的反应状态。

用于成对容纳衬底的设备-201680050688.1
发明人：克劳斯·东克尔 -专利权人：韩华QCELLS有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C23C16/50
摘要：本发明涉及一种用于容纳片状衬底(3)以用于在呈等离子体CVD系统(PECVD)形式的处理装置中对衬底进行处理的设备，其中每个衬底具有前侧以及与该前侧相反的背侧，该设备包括至少一个用于容纳并固定该衬底(3，3’)的容纳设备(5，5’)，其中该容纳设备具有至少两个、尤其多个容纳区域(7)，其中，在每个容纳区域中安排有或可安排至少两个衬底(3，3’)，其中第一衬底(3)的背侧与第二衬底(3’)的背侧可直接贴靠或处于直接贴靠，并且其中至少两个容纳区域(5)尤其几乎彼此平行地安排并且借助于绝缘的连接元件(19)而彼此相连接，并且其中这些平行的容纳区域(5)与高频发生器的不同极性的输出端交替地可连接或相连接。

一种磁控等离子体微孔涂层装置-201510446139.3
发明人：余彬 -专利权人：苏州金刚晶纳米材料有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C23C16/50
摘要：一种磁控等离子体微孔涂层装置，包括真空室、进气筛、出气筛、样品台、工件、磁控环和加热丝；其中出气筛与进气筛相对设置；样品台位于进气筛与出气筛之间；磁控环与工件位于样品台上；工件具有狭长的中孔结构，并放置在磁控环内部；加热丝与工件的中孔对应位置设置为环状线圈结构；通过环状线圈结构的加热丝、磁控环的磁力吸引作用以及样品台的气流通道等多种技术手段实现对气流的合理控制，从而顺利地将等离子体导入狭长的内孔中，实现对微小孔径、较大孔深的工件内孔表面涂层加工。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置有效

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