专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]减少等离子体引起的损坏的工艺-CN202310845581.8在审
  • 李建恒;赵来;翟羽佳;崔寿永 - 应用材料公司
  • 2018-09-27 - 2023-10-27 - H01L29/423
  • 本文所描述的实施方式提供了薄膜晶体管(TFT)和工艺以减少在TFT中的等离子体引起的损坏。在一个实施方式中,缓冲层设置在衬底上方,并且半导体层设置在所述缓冲层上方。栅介质层设置在所述半导体层上方。所述栅介质层在界面处接触所述半导体层。栅电极204设置在所述栅介质层上方。所述栅介质层具有约5e10cm2eV‑1至约5e11cm‑2eV‑1的Dit和约0.10V至约0.30V的磁滞以改善所述TFT的性能能力,同时具有在约6MV/cm与约10MV/cm之间的击穿场。
  • 减少等离子体引起损坏工艺
  • [发明专利]用于显示器应用的层堆叠-CN201880072510.6有效
  • 芮祥新;崔寿永;栗田真一;翟羽佳;赵来 - 应用材料公司
  • 2018-09-13 - 2023-09-19 - H01L21/768
  • 本公开内容的实施方式一般地涉及包含高介电常数电介质层的层堆叠,所述层堆叠形成于第一电介质层与金属电极上方。高介电常数电介质层具有20或更高的介电常数值且可形成为电子装置中的电容器、栅极绝缘层或任意合适的绝缘层的一部分,电子装置例如显示器装置。层堆叠包含设置于第一电介质层与金属层上的第二电介质层,和设置于第二电介质层上的高介电常数电介质层。第二电介质层提供均质表面,高介电常数电介质层形成于均质表面上。均质表面使高介电常数电介质材料得以均匀地沉积于其上,这样产生均匀的厚度分布。
  • 用于显示器应用堆叠
  • [发明专利]减少等离子体引起的损坏的工艺-CN201880066193.7有效
  • 李建恒;赵来;翟羽佳;崔寿永 - 应用材料公司
  • 2018-09-27 - 2023-07-18 - H01L21/786
  • 本文所描述的实施方式提供了薄膜晶体管(TFT)和工艺以减少在TFT中的等离子体引起的损坏。在一个实施方式中,缓冲层设置在衬底上方,并且半导体层设置在所述缓冲层上方。栅介质层设置在所述半导体层上方。所述栅介质层在界面处接触所述半导体层。栅电极204设置在所述栅介质层上方。所述栅介质层具有约5e10cm2eV‑1至约5e11cm‑2eV‑1的Dit和约0.10V至约0.30V的磁滞以改善所述TFT的性能能力,同时具有在约6MV/cm与约10MV/cm之间的击穿场。
  • 减少等离子体引起损坏工艺
  • [实用新型]一种带有加热功能的冲洗器-CN202222470838.X有效
  • 赵来 - 赵来
  • 2022-09-16 - 2023-06-16 - A61M3/02
  • 本申请公开了一种带有加热功能的冲洗器,包括搅拌结构,所述搅拌结构包括加热壳体,所述加热壳体内腔侧壁固接加热体,所述加热壳体顶部固接驱动电机,所述驱动电机的输出端固接第一搅拌轴,所述第一搅拌轴表面固接第一搅拌叶,所述第一搅拌轴表面固接有第一锥齿轮,所述第一锥齿轮侧面啮合连接第二锥齿轮,所述第二锥齿轮一侧固接第二搅拌轴,所述第二搅拌轴表面固接第二搅拌叶。本申请利用加热体可以对冲洗液进行加热,利用第一搅拌叶和第二搅拌叶可以对冲洗液进行搅拌,不仅可以使冲洗液的温度更为均匀,而且可以使冲洗液在配置时混合更为均匀,提高冲洗液加热和配置的效率。
  • 一种带有加热功能冲洗
  • [发明专利]用于消除遮蔽框架的气体限制器组件-CN201910993702.7有效
  • 赵来;王群华;R·L·迪纳;崔寿永;B·S·朴 - 应用材料公司
  • 2015-01-20 - 2022-08-30 - C23C16/50
  • 本公开涉及一种气体限制器组件,所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中,一种用于处理腔室的气体限制器组件包括气体限制器,所述气体限制器被配置成减少气流并且补偿基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件还包括覆盖件,所述覆盖件设置在所述气体限制器下方。所述覆盖件被配置成防止基板支撑件暴露于等离子体下。
  • 用于消除遮蔽框架气体限制器组件

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