“B·S·朴”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于消除遮蔽框架的气体限制器组件-CN201910993702.7有效
发明人：赵来;王群华;R·L·迪纳;崔寿永;B·S·朴 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种气体限制器组件，所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的气体限制器组件包括气体限制器，所述气体限制器被配置成减少气流并且补偿基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件还包括覆盖件，所述覆盖件设置在所述气体限制器下方。所述覆盖件被配置成防止基板支撑件暴露于等离子体下。
用于消除遮蔽框架气体限制器组件

[发明专利]用于改进分布均匀性的拐角式扰流件-CN201580006277.8有效
发明人：赵来;古田学;王群华;R·L·迪纳;B·S·朴;崔寿永;S·D·雅达维 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本公开涉及一种拐角式扰流件，所述拐角式扰流件被设计成通过改变气体流动来使基板拐角区域上的较高沉积速率降低。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的拐角式扰流件包括电介质材料制成的L形主体，其中所述L形主体被配置成改变在处理腔室中的基板的拐角处的等离子体分布。所述L形主体包括第一支脚和第二支脚，其中所述第一支脚与所述第二支脚在所述L形主体的内侧拐角和外侧拐角处相交。所述第一支脚或所述第二支脚的长度是所述第一支脚或所述第二支脚与所述内侧拐角之间界定的距离的两倍。在另一实施方式中，一种用于沉积腔室的遮蔽框架包括：矩形主体，所述矩形主体具有贯穿其的矩形开口；以及一或多个拐角式扰流件，所述一或多个拐角式扰流件在所述矩形主体的拐角处耦接到所述矩形主体。
用于改进分布均匀拐角式扰流件

[发明专利]用于消除遮蔽框架的气体限制器组件-CN201580006247.7有效
发明人：赵来;王群华;R·L·迪纳;崔寿永;B·S·朴 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种气体限制器组件，所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的气体限制器组件包括气体限制器，所述气体限制器被配置成减少气流并且补偿基板边缘区域上的较高沉积速率。所述气体限制器组件还包括覆盖件，所述覆盖件设置在所述气体限制器下方。所述覆盖件被配置成防止基板支撑件暴露于等离子体下。
用于消除遮蔽框架气体限制器组件

[发明专利]用于改善边缘一致性的腔室气体扩散器孔设计-CN201480032438.6有效
发明人：赵来;古田学;王群华;崔寿永;D·李;B·S·朴;H-L·杨 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：在一个实施例中，用于沉积腔室的扩散器包括板和多个气体通道，所述板具有数个边缘区域、数个角落区域和中央区域，所述多个气体通道包括孔洞，所述多个气体通道形成在所述板的上游侧与下游侧之间，其中，在所述板的角落区域或边缘区域中的一个或多个中的孔洞的长度或直径中的一项或多项与在所述板的中央区域中的孔洞的对应长度或对应直径不同。
用于改善边缘一致性气体扩散器设计

[发明专利]沉积包封膜的方法-CN201380009246.9有效
发明人： J·J·陈;T·K·元;B·S·朴;Y·J·崔;S·Y·崔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-02-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：描述一种将材料层(例如包封膜)沉积至基板上的方法及装置。于一实施例，包封膜形成方法包括传送气体混合物至处理室中，此气体混合物包括含硅气体、第一含氮气体、第二含氮气体以及氢气；施加介于约0.350瓦/平方厘米至约0.903瓦/平方厘米的能量至气体分配板组件，以激励处理室中的气体混合物，气体分配板组件与位于所述处理室中的基板的间隔约800密耳至约1800密耳，且气体分配板组件在所述基板上方；于介于约0.5托耳至约3.0托耳之间的压力下，维持于处理室中的激励的气体混合物；以及在此被激励的气体混合物存在之下，沉积无机包封膜至基板上。于其他实施例，有机电介质层是夹在无机包封层之间。
沉积包封膜方法

[发明专利]用于薄膜封装的N₂O稀释工艺对阻挡膜性能的改进-CN201480014618.1在审
发明人： Y·J·崔;B·S·朴;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：描述一种用于将无机层沉积到基板上的方法和装置。所述无机层可以是各种显示应用中使用的封装膜的部分。所述封装膜包括一或多个无机层作为阻挡层以改进防水性能。在所述无机层的沉积期间，引入含氧气体，如一氧化二氮。因此，所述无机层的应力更低，且可获得小于100mg/m²-天的水蒸汽透过率(WVTR)。
用于薄膜封装 sub 稀释工艺阻挡性能改进