[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210439014.4 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103165656A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 安正烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/485;H01L21/334;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓琼;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：隔离层，所述隔离层形成在半导体衬底的隔离区上；硅图案，所述硅图案形成在隔离层之间的半导体衬底之上；绝缘层，所述绝缘层形成在硅图案与半导体衬底之间；以及结，所述结形成在硅图案之间的半导体衬底中，其中，每个硅图案具有倾斜的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：隔离层，所述隔离层形成在半导体衬底的隔离区上；硅图案，所述硅图案形成在所述隔离层之间的半导体衬底之上；绝缘层，所述绝缘层形成在所述硅图案与所述半导体衬底之间；以及结，所述结形成在所述硅图案之间的半导体衬底中，其中，所述硅图案每个都具有倾斜的顶表面。
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