[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210398918.7 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103779413A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法。具体地，提供了一种使栅极中的材料向沟道施加应力以增强载流子迁移率的实现方案，即在栅极绝缘层与栅极金属之间形成能够向沟道施加拉伸应力或压缩应力的功函数材料层，以便增强nMOS场效应晶体管或pMOS场效应晶体管的沟道载流子迁移率，或者在栅极绝缘层和功函数材料层上形成能够向沟道施加拉伸应力的栅极金属，以便增强nMOS场效应晶体管的沟道载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层被形成在衬底凹槽的内壁上；功函数材料层，能够向沟道施加拉伸应力或压缩应力；以及栅极金属，其中，所述栅极绝缘层、所述功函数材料层和所述栅极金属被依次形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210398918.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：全自动混凝土高速喷涂机的气电联动装置
- 下一篇：一种城市中水的深度处理方法
- 同类专利
- 专利分类
