[发明专利]用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法在审
| 申请号： | 201210370720.8 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103715232A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;田晓丽;吴振兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于半导体功率器件的沟槽式终端，该终端包含至少一个沟槽，所述沟槽位于终端器件衬底内，终端表面由里及外覆盖有绝缘层和多晶硅，在所述终端区域的沟槽的端口和底部的周围具有P型区域，该P型区域与衬底的掺杂类型相反。本发明提供的用于半导体功率器件的沟槽式终端，通过在沟槽周围电场强烈集中的位置形成起保护作用的P型区域，该P型区域与衬底的掺杂类型相反，增强了该终端的可靠性。该沟槽式终端结构应用在元包结构为沟槽的功率器件中，能够减少器件制作的工艺步骤，从而降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 功率 器件 沟槽 终端 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
用于半导体功率器件的沟槽式终端，其特征在于，终端包含至少一个沟槽，所述沟槽位于终端器件衬底内，终端表面由里及外覆盖有绝缘层和多晶硅，在所述终端的沟槽的端口和底部的周围具有P型区，该P型区与衬底的掺杂类型相反。
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